| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 引言 | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-39页 |
| 1.1 存储器概述 | 第13-16页 |
| 1.1.1 非易失性存储器简介 | 第13-14页 |
| 1.1.2 传统的存储器及其发展瓶颈 | 第14页 |
| 1.1.3 新型存储器件简介 | 第14-16页 |
| 1.2 阻变式存储器 | 第16-29页 |
| 1.2.1 阻变存储器的工作原理 | 第18页 |
| 1.2.2 阻变存储器导电通道模型介绍 | 第18-21页 |
| 1.2.3 阻变存储器材料选择 | 第21-24页 |
| 1.2.4 阻变存储器研究现状 | 第24-29页 |
| 1.3 本论文的选题内容与研究意义 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-39页 |
| 第二章 碳基阻变存储器导电通道尺寸调控及其效应研究 | 第39-65页 |
| 2.1 Cu/a-C/Pt器件制备及表征 | 第39-40页 |
| 2.2 尺寸对Cu/a-C/Pt器件导电通道稳定性影响 | 第40-49页 |
| 2.2.1 引言 | 第40-41页 |
| 2.2.2 限制电流调控Cu/a-C/Pt器件导电通道尺寸 | 第41-44页 |
| 2.2.3 小尺寸导电通道的不稳定原因 | 第44-49页 |
| 2.2.4 Cu/a-C/Pt器件电阻转变极性 | 第49页 |
| 2.2.5 本节小结 | 第49页 |
| 2.3 导电通道断裂过程中的量子电导现象及机理 | 第49-51页 |
| 2.4 Cu/a-C/Pt器件导电通道尺寸依赖的焦耳热效应 | 第51-60页 |
| 2.4.1 引言 | 第51-53页 |
| 2.4.2 Cu/a-C/Pt器件导电通道尺寸对器件电学性质影响 | 第53-55页 |
| 2.4.3 Cu/a-C/Pt器件导电通道焦耳热定量计算 | 第55-59页 |
| 2.4.4 导电通道产生焦耳热对a-C阻变层的影响 | 第59-60页 |
| 2.4.5 本节小结 | 第60页 |
| 2.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第三章 碳基阻变存储器导电通道通断位置的有效控制 | 第65-84页 |
| 3.1 简述 | 第65页 |
| 3.2 sp~2团簇增强局域电场控制导电通道 | 第65-71页 |
| 3.2.1 引言 | 第65-66页 |
| 3.2.2 恒电流作用增加a-C薄膜sp~2团簇尺寸 | 第66-68页 |
| 3.2.3 sp~2团簇增强局域电场对Cu/a-C/Pt器件阻变特性影响 | 第68-71页 |
| 3.2.4 本节小结 | 第71页 |
| 3.3 多孔结构控制导电通道 | 第71-81页 |
| 3.3.1 引言 | 第71-72页 |
| 3.3.2 多纳米孔薄膜制备及表征 | 第72-74页 |
| 3.3.3 纳米金属导电通道电学性质 | 第74-77页 |
| 3.3.4 纳米尺寸电极提升碳基阻变存储器稳定性 | 第77-80页 |
| 3.3.5 本节小结 | 第80-81页 |
| 3.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 第四章 基于平面结构的碳基阻变存储器导电通道机理研究 | 第84-98页 |
| 4.1 简述 | 第84-85页 |
| 4.2 Au/GO/Au阻变器件RGO导电通道形成动态过程 | 第85-91页 |
| 4.2.1 Au/GO/Au平面器件制备 | 第85-87页 |
| 4.2.2 Au/GO/Au器件导电通道形成过程 | 第87-89页 |
| 4.2.3 Au/GO/Au器件RGO导电通道形成机理分析 | 第89-91页 |
| 4.2.4 本节小结 | 第91页 |
| 4.3 湿度依赖的Au/GO/Au器件阻变特性研究 | 第91-95页 |
| 4.3.1 湿度对RGO导电通道形成影响 | 第91-92页 |
| 4.3.2 湿度对RGO导电通道通断影响研究 | 第92-95页 |
| 4.3.3 本节小结 | 第95页 |
| 4.4 本章小结 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-98页 |
| 第五章 总结与展望 | 第98-100页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第98-99页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 在学期间公开发表论文及参加学术会议情况 | 第101-102页 |
