中文摘要 | 第10-12页 |
ABSTRACT | 第12-14页 |
第一章 绪论 | 第15-26页 |
1.1 引言 | 第15页 |
1.2 AB_2O_4型尖晶石氧化物材料 | 第15-17页 |
1.2.1 尖晶石氧化物简介 | 第15-16页 |
1.2.2 尖晶石氧化物的晶体结构 | 第16-17页 |
1.3 ZnGa_2O_4尖晶石材料简介 | 第17-18页 |
1.4 ZnGa_2O_4尖晶石材料的研究进展 | 第18-20页 |
1.4.1 ZnGa_2O_4粉体材料的研究进展 | 第18-19页 |
1.4.2 ZnGa_2O_4薄膜材料的研究进展 | 第19-20页 |
1.5 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第20-24页 |
1.5.1 XPS简介 | 第20-21页 |
1.5.2 XPS应用分析 | 第21-24页 |
1.5.3 XPS在纳米材料研究中的应用 | 第24页 |
1.6 本论文的研究目的、意义及内容 | 第24-26页 |
第二章 材料的制备与表征方法 | 第26-33页 |
2.1 ZnGa_2O_4粉末的制备方法 | 第26-27页 |
2.1.1 固相反应法 | 第26页 |
2.1.2 溶胶-凝胶法 | 第26-27页 |
2.2 ZnGa_2O_4薄膜的制备方法 | 第27-28页 |
2.2.1 溶胶-凝胶旋涂法 | 第27-28页 |
2.2.2 脉冲激光沉积法 | 第28页 |
2.3 实验所用原料及设备 | 第28-29页 |
2.4 X射线光电子能谱测试 | 第29-32页 |
2.4.1 X射线光电子能谱仪构造 | 第29-31页 |
2.4.2 XPS实验技术 | 第31-32页 |
2.4.3 实验条件 | 第32页 |
2.5 其他测试方法 | 第32-33页 |
第三章 Zn_xGa_2O_(3+x)发光粉的制备及表征 | 第33-45页 |
3.1 引言 | 第33页 |
3.2 Zn_xGa_2O_(3+x)发光粉的制备 | 第33-34页 |
3.3 XRD和TEM表征 | 第34-37页 |
3.3.1 XRD分析 | 第34-37页 |
3.3.2 TEM分析 | 第37页 |
3.4 X射线光电子能谱分析 | 第37-42页 |
3.4.1 元素组成分析 | 第37-39页 |
3.4.2 阳离子分布研究 | 第39-42页 |
3.5 EPR分析 | 第42页 |
3.6 发光性能测试 | 第42-43页 |
3.7 本章小结 | 第43-45页 |
第四章 ZnGa_2O_4发光粉的制备、阳离子分布及性能表征 | 第45-54页 |
4.1 引言 | 第45页 |
4.2 ZnGa_2O_4粉末的制备 | 第45页 |
4.2.1 溶胶-凝胶法制备过程 | 第45页 |
4.2.2 固相法制备过程 | 第45页 |
4.3 物相与微观形貌分析 | 第45-48页 |
4.3.1 物相分析 | 第45-47页 |
4.3.2 形貌分析 | 第47-48页 |
4.4 阳离子分布研究 | 第48-52页 |
4.5 发光性能测试 | 第52-53页 |
4.6 本章小结 | 第53-54页 |
第五章 ZnGa_2O_4薄膜的制备及其光电子能谱研究 | 第54-73页 |
5.1 引言 | 第54页 |
5.2 ZnGa_2O_4薄膜的制备 | 第54-57页 |
5.2.1 溶胶-凝胶法 | 第54-57页 |
5.2.2 脉冲激光沉积法 | 第57页 |
5.3 薄膜的物相及表面形貌分析 | 第57-62页 |
5.3.1 溶胶-凝胶法制得的薄膜的物相分析 | 第57-58页 |
5.3.2 PLD法制得的薄膜的物相分析 | 第58-59页 |
5.3.3 薄膜的表面形貌分析 | 第59-62页 |
5.4 薄膜的厚度测定 | 第62-63页 |
5.5 X射线光电子能谱分析 | 第63-71页 |
5.5.1 薄膜表面元素组成及电子结构分析 | 第63-65页 |
5.5.2 各元素含量随薄膜深度的变化 | 第65-68页 |
5.5.3 ZnGa_2O_4膜与基底之间的界面结构分析 | 第68-71页 |
5.6 性能测试 | 第71-72页 |
5.7 本章小结 | 第72-73页 |
第六章 总结与展望 | 第73-76页 |
6.1 主要结论 | 第73-74页 |
6.2 主要创新点 | 第74-75页 |
6.3 有待深入研究的工作 | 第75-76页 |
参考文献 | 第76-86页 |
致谢 | 第86-87页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第87-88页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第88页 |