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ZnGa2O4发光粉与薄膜材料的制备及其光电子能谱研究

中文摘要第10-12页
ABSTRACT第12-14页
第一章 绪论第15-26页
    1.1 引言第15页
    1.2 AB_2O_4型尖晶石氧化物材料第15-17页
        1.2.1 尖晶石氧化物简介第15-16页
        1.2.2 尖晶石氧化物的晶体结构第16-17页
    1.3 ZnGa_2O_4尖晶石材料简介第17-18页
    1.4 ZnGa_2O_4尖晶石材料的研究进展第18-20页
        1.4.1 ZnGa_2O_4粉体材料的研究进展第18-19页
        1.4.2 ZnGa_2O_4薄膜材料的研究进展第19-20页
    1.5 X射线光电子能谱(XPS)分析第20-24页
        1.5.1 XPS简介第20-21页
        1.5.2 XPS应用分析第21-24页
        1.5.3 XPS在纳米材料研究中的应用第24页
    1.6 本论文的研究目的、意义及内容第24-26页
第二章 材料的制备与表征方法第26-33页
    2.1 ZnGa_2O_4粉末的制备方法第26-27页
        2.1.1 固相反应法第26页
        2.1.2 溶胶-凝胶法第26-27页
    2.2 ZnGa_2O_4薄膜的制备方法第27-28页
        2.2.1 溶胶-凝胶旋涂法第27-28页
        2.2.2 脉冲激光沉积法第28页
    2.3 实验所用原料及设备第28-29页
    2.4 X射线光电子能谱测试第29-32页
        2.4.1 X射线光电子能谱仪构造第29-31页
        2.4.2 XPS实验技术第31-32页
        2.4.3 实验条件第32页
    2.5 其他测试方法第32-33页
第三章 Zn_xGa_2O_(3+x)发光粉的制备及表征第33-45页
    3.1 引言第33页
    3.2 Zn_xGa_2O_(3+x)发光粉的制备第33-34页
    3.3 XRD和TEM表征第34-37页
        3.3.1 XRD分析第34-37页
        3.3.2 TEM分析第37页
    3.4 X射线光电子能谱分析第37-42页
        3.4.1 元素组成分析第37-39页
        3.4.2 阳离子分布研究第39-42页
    3.5 EPR分析第42页
    3.6 发光性能测试第42-43页
    3.7 本章小结第43-45页
第四章 ZnGa_2O_4发光粉的制备、阳离子分布及性能表征第45-54页
    4.1 引言第45页
    4.2 ZnGa_2O_4粉末的制备第45页
        4.2.1 溶胶-凝胶法制备过程第45页
        4.2.2 固相法制备过程第45页
    4.3 物相与微观形貌分析第45-48页
        4.3.1 物相分析第45-47页
        4.3.2 形貌分析第47-48页
    4.4 阳离子分布研究第48-52页
    4.5 发光性能测试第52-53页
    4.6 本章小结第53-54页
第五章 ZnGa_2O_4薄膜的制备及其光电子能谱研究第54-73页
    5.1 引言第54页
    5.2 ZnGa_2O_4薄膜的制备第54-57页
        5.2.1 溶胶-凝胶法第54-57页
        5.2.2 脉冲激光沉积法第57页
    5.3 薄膜的物相及表面形貌分析第57-62页
        5.3.1 溶胶-凝胶法制得的薄膜的物相分析第57-58页
        5.3.2 PLD法制得的薄膜的物相分析第58-59页
        5.3.3 薄膜的表面形貌分析第59-62页
    5.4 薄膜的厚度测定第62-63页
    5.5 X射线光电子能谱分析第63-71页
        5.5.1 薄膜表面元素组成及电子结构分析第63-65页
        5.5.2 各元素含量随薄膜深度的变化第65-68页
        5.5.3 ZnGa_2O_4膜与基底之间的界面结构分析第68-71页
    5.6 性能测试第71-72页
    5.7 本章小结第72-73页
第六章 总结与展望第73-76页
    6.1 主要结论第73-74页
    6.2 主要创新点第74-75页
    6.3 有待深入研究的工作第75-76页
参考文献第76-86页
致谢第86-87页
攻读学位期间发表的学术论文第87-88页
学位论文评阅及答辩情况表第88页

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