| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-14页 |
| ·选题背景 | 第11页 |
| ·屏蔽包层国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·本文的研究内容和意义 | 第13-14页 |
| 第2章 CFETR屏蔽包层设计方案 | 第14-19页 |
| ·等离子体位形与真空室结构 | 第14-16页 |
| ·CFETR屏蔽包层设计方案 | 第16-18页 |
| ·增殖区域屏蔽包层设计方案 | 第16-17页 |
| ·偏滤器区域屏蔽包层设计方案 | 第17-18页 |
| ·小结 | 第18-19页 |
| 第3章 CFETR屏蔽包层材料选择 | 第19-34页 |
| ·316L(N)-IG的性能及其中子屏蔽能力 | 第21-26页 |
| ·316L(N)-IG的物理性能和机械性能 | 第21-22页 |
| ·316L(N)-IG的耐腐蚀性能 | 第22-23页 |
| ·不锈钢316L(N)-IG的抗辐照性能 | 第23-24页 |
| ·316L(N)-IG的中子屏蔽能力 | 第24-26页 |
| ·F82H的性能及其中子屏蔽能力 | 第26-30页 |
| ·F82H的物理性能和机械性能 | 第26-28页 |
| ·F82H的耐腐蚀性能 | 第28页 |
| ·F82H的抗辐照性能 | 第28-29页 |
| ·F82H的中子屏蔽能力 | 第29-30页 |
| ·WC的性能及其中子屏蔽能力 | 第30-32页 |
| ·小结 | 第32-34页 |
| 第4章 CFETR屏蔽包层冷却系统设计和分析 | 第34-59页 |
| ·屏蔽包层的热载荷来源 | 第34-35页 |
| ·屏蔽包层核热计算 | 第35-36页 |
| ·有限元方法 | 第36-37页 |
| ·增殖区域屏蔽包层冷却结构设计和分析 | 第37-53页 |
| ·方案一 | 第37-43页 |
| ·方案二 | 第43-48页 |
| ·方案三 | 第48-53页 |
| ·偏滤器区域屏蔽包层冷却结构设计和分析 | 第53-58页 |
| ·结构设计 | 第53-54页 |
| ·结构分析 | 第54-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第5章 CFETR屏蔽包层电磁分析 | 第59-69页 |
| ·等离子体破裂事件(Plasma Disruption) | 第59-60页 |
| ·MDE屏蔽包层的电磁分析 | 第60-68页 |
| ·线性衰减 | 第62-65页 |
| ·指数哀减 | 第65-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 第6章 总结与展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第74页 |