| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-46页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·SiC材料的结构和基本性质 | 第14-19页 |
| ·SiC的晶体结构 | 第14-16页 |
| ·SiC的能带结构 | 第16-17页 |
| ·SiC的基本性质 | 第17-19页 |
| ·SiC纳米结构的制备研究 | 第19-27页 |
| ·化学气相沉积法 | 第19-21页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第21-22页 |
| ·磁控溅射法 | 第22-23页 |
| ·溶剂热法 | 第23-24页 |
| ·模板辅助法 | 第24-25页 |
| ·微波法 | 第25-26页 |
| ·其它制备方法 | 第26-27页 |
| ·SiC纳米结构的性能应用研究 | 第27-33页 |
| ·场发射性能(Field-emission property)应用研究 | 第27-29页 |
| ·光催化性能(Photocatalytic property)应用研究 | 第29-31页 |
| ·电学性能(Electrical property)应用研究 | 第31-32页 |
| ·光学性能(Optical property) 应用研究 | 第32-33页 |
| ·选题的目的及研究内容 | 第33-36页 |
| 参考文献 | 第36-46页 |
| 第二章 SiC准纳米阵列的制备、生长机理和性能的研究 | 第46-76页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·实验部分 | 第47-51页 |
| ·实验原料与试剂 | 第47-48页 |
| ·实验设备 | 第48-49页 |
| ·实验过程 | 第49-50页 |
| ·表征仪器和方法 | 第50-51页 |
| ·一维SiC纳米材料的形貌与表征 | 第51-56页 |
| ·糖葫芦状SiC纳米棒的表征 | 第51-54页 |
| ·竹节状SiC纳米棒的表征 | 第54-56页 |
| ·SiC准纳米线阵列的形貌与表征 | 第56-59页 |
| ·Si C准纳米线阵列的形貌表征 | 第56-57页 |
| ·Si C准纳米线阵列的Raman分析 | 第57-58页 |
| ·Si C准纳米线阵列的光致光谱性能与分析 | 第58-59页 |
| ·生长条件对SiC准纳米线阵列生长的影响 | 第59-63页 |
| ·衬底的选择对SiC准纳米线阵列生长的影响 | 第59-61页 |
| ·催化剂浓度对SiC准纳米线阵列生长的影响 | 第61-62页 |
| ·反应温度对SiC准纳米线阵列生长的影响 | 第62-63页 |
| ·SiC准纳米线阵列的生长与形成机理分析 | 第63-65页 |
| ·SiC纳米材料的场发射性能研究与分析 | 第65-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 第三章 SiC纳米线网络结构的制备表征和形成机理的研究 | 第76-98页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·实验部分 | 第77-78页 |
| ·实验试剂设备及表征方法 | 第77页 |
| ·实验过程 | 第77-78页 |
| ·SiC纳米线网络结构的表征 | 第78-82页 |
| ·Si C纳米线网络的形貌分析 | 第78-81页 |
| ·Si C纳米线网络的结构分析 | 第81页 |
| ·Si C纳米线网络的光致发光性能测试 | 第81-82页 |
| ·生长条件对SiC纳米线网络生长的影响 | 第82-88页 |
| ·Si衬底的表面处理对SiC纳米产物生长的影响 | 第82-84页 |
| ·不同反应温度对SiC纳米线网络生长的影响 | 第84-86页 |
| ·不同的反应时间对SiC纳米线网络生长的影响 | 第86-87页 |
| ·不同的催化剂浓度对SiC纳米线网络生长的影响 | 第87-88页 |
| ·SiC纳米线网络结构的生长机理分析 | 第88-89页 |
| ·SiC纳米线网络的光催化性能测试与分析 | 第89-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-98页 |
| 第四章 SiC@CNT同轴纳米电缆的制备及形成机理的研究 | 第98-124页 |
| ·引言 | 第98-99页 |
| ·实验部分 | 第99-100页 |
| ·实验试剂设备及表征方法 | 第99页 |
| ·实验过程 | 第99-100页 |
| ·SiC@CNT纳米电缆的形貌与表征 | 第100-104页 |
| ·Si C@CNT纳米电缆的形貌分析 | 第100-103页 |
| ·Si C@CNT纳米电缆的Raman分析 | 第103页 |
| ·Si C@CNT纳米电缆的光致发光光谱分析 | 第103-104页 |
| ·生长条件对SiC@CNT同轴纳米电缆的形貌影响 | 第104-111页 |
| ·衬底处理方式对SiC@CNT纳米电缆生长的影响 | 第104-105页 |
| ·催化剂的选择对SiC@CNT纳米电缆生长的影响 | 第105-106页 |
| ·催化剂浓度对SiC@CNT纳米电缆生长的影响 | 第106-107页 |
| ·反应温度对SiC@CNT纳米电缆生长的影响 | 第107-109页 |
| ·载气流量对SiC@CNT纳米电缆生长的影响 | 第109-111页 |
| ·SiC@CNT同轴纳米电缆生长机理分析 | 第111-113页 |
| ·SiC@CNT同轴纳米电缆的性能测试与分析 | 第113-119页 |
| ·Si C@CNT纳米电缆的疏水性分析 | 第113-114页 |
| ·Si C@CNT纳米电缆光催化性能与分析 | 第114-117页 |
| ·Si C@CNT纳米电缆场发射性能与分析 | 第117-119页 |
| ·本章小结 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-124页 |
| 第五章 结论与展望 | 第124-128页 |
| ·结论 | 第124-125页 |
| ·创新点 | 第125-126页 |
| ·展望 | 第126-128页 |
| 博士期间承担的科研课题及研究成果 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130页 |
