| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 引言 | 第9-19页 |
| ·氧化镓（Ga_2O_3）的性质 | 第9-12页 |
| ·Ga_2O_3的结构特性 | 第9-11页 |
| ·β-Ga_2O_3的光学性质 | 第11-12页 |
| ·β-Ga_2O_3的电学性质 | 第12页 |
| ·β-Ga_2O_3材料的应用 | 第12-13页 |
| ·气敏传感器 | 第12页 |
| ·紫外探测器 | 第12页 |
| ·电致发光器件 | 第12-13页 |
| ·β-Ga_2O_3的研究进展 | 第13-18页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第18-19页 |
| 2 β-Ga_2O_3材料的制备和表征技术 | 第19-24页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米材料的制备方法 | 第19-21页 |
| ·化学气相沉积（CVD） | 第19页 |
| ·射频磁控溅射法（MS） | 第19-20页 |
| ·脉冲激光沉积法（PLD） | 第20页 |
| ·金属有机化学气相沉积（MOCVD） | 第20-21页 |
| ·表征技术 | 第21-24页 |
| ·X射线衍射（XRD） | 第21页 |
| ·场发射扫描电子显微镜（FE-SEM） | 第21-22页 |
| ·光吸收谱（Absorption spectrum） | 第22-23页 |
| ·光致发光（PL） | 第23-24页 |
| 3 不同Ga源量对 β-Ga_2O_3薄膜的特性影响 | 第24-31页 |
| ·实验过程 | 第24-25页 |
| ·样品的结构特性 | 第25-26页 |
| ·样品的光学性质 | 第26-28页 |
| ·n型 β-Ga_2O_3/p型Si异质结的I-V曲线 | 第28-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 4 自催化 β-Ga_2O_3微米线的生长与特性研究 | 第31-36页 |
| ·实验过程 | 第31-32页 |
| ·β-Ga_2O_3微米球的表面形貌 | 第32-33页 |
| ·自催化微米线的生长机制 | 第33-34页 |
| ·β-Ga_2O_3微米线的结构特性 | 第34页 |
| ·β-Ga_2O_3微米线的光学特性 | 第34-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 结论 | 第36-37页 |
| 参考 文献 | 第37-40页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第40-41页 |
| 致谢 | 第41页 |
