摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
1 引言 | 第9-19页 |
·氧化镓(Ga_2O_3)的性质 | 第9-12页 |
·Ga_2O_3的结构特性 | 第9-11页 |
·β-Ga_2O_3的光学性质 | 第11-12页 |
·β-Ga_2O_3的电学性质 | 第12页 |
·β-Ga_2O_3材料的应用 | 第12-13页 |
·气敏传感器 | 第12页 |
·紫外探测器 | 第12页 |
·电致发光器件 | 第12-13页 |
·β-Ga_2O_3的研究进展 | 第13-18页 |
·本论文的主要研究内容 | 第18-19页 |
2 β-Ga_2O_3材料的制备和表征技术 | 第19-24页 |
·β-Ga_2O_3纳米材料的制备方法 | 第19-21页 |
·化学气相沉积(CVD) | 第19页 |
·射频磁控溅射法(MS) | 第19-20页 |
·脉冲激光沉积法(PLD) | 第20页 |
·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第20-21页 |
·表征技术 | 第21-24页 |
·X射线衍射(XRD) | 第21页 |
·场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) | 第21-22页 |
·光吸收谱(Absorption spectrum) | 第22-23页 |
·光致发光(PL) | 第23-24页 |
3 不同Ga源量对 β-Ga_2O_3薄膜的特性影响 | 第24-31页 |
·实验过程 | 第24-25页 |
·样品的结构特性 | 第25-26页 |
·样品的光学性质 | 第26-28页 |
·n型 β-Ga_2O_3/p型Si异质结的I-V曲线 | 第28-30页 |
·小结 | 第30-31页 |
4 自催化 β-Ga_2O_3微米线的生长与特性研究 | 第31-36页 |
·实验过程 | 第31-32页 |
·β-Ga_2O_3微米球的表面形貌 | 第32-33页 |
·自催化微米线的生长机制 | 第33-34页 |
·β-Ga_2O_3微米线的结构特性 | 第34页 |
·β-Ga_2O_3微米线的光学特性 | 第34-35页 |
·小结 | 第35-36页 |
结论 | 第36-37页 |
参考 文献 | 第37-40页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第40-41页 |
致谢 | 第41页 |