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β-Ga2O3薄膜和自催化β-Ga2O3微米线的生长与特性研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 引言第9-19页
   ·氧化镓(Ga_2O_3)的性质第9-12页
     ·Ga_2O_3的结构特性第9-11页
     ·β-Ga_2O_3的光学性质第11-12页
     ·β-Ga_2O_3的电学性质第12页
   ·β-Ga_2O_3材料的应用第12-13页
     ·气敏传感器第12页
     ·紫外探测器第12页
     ·电致发光器件第12-13页
   ·β-Ga_2O_3的研究进展第13-18页
   ·本论文的主要研究内容第18-19页
2 β-Ga_2O_3材料的制备和表征技术第19-24页
   ·β-Ga_2O_3纳米材料的制备方法第19-21页
     ·化学气相沉积(CVD)第19页
     ·射频磁控溅射法(MS)第19-20页
     ·脉冲激光沉积法(PLD)第20页
     ·金属有机化学气相沉积(MOCVD)第20-21页
   ·表征技术第21-24页
     ·X射线衍射(XRD)第21页
     ·场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)第21-22页
     ·光吸收谱(Absorption spectrum)第22-23页
     ·光致发光(PL)第23-24页
3 不同Ga源量对 β-Ga_2O_3薄膜的特性影响第24-31页
   ·实验过程第24-25页
   ·样品的结构特性第25-26页
   ·样品的光学性质第26-28页
   ·n型 β-Ga_2O_3/p型Si异质结的I-V曲线第28-30页
   ·小结第30-31页
4 自催化 β-Ga_2O_3微米线的生长与特性研究第31-36页
   ·实验过程第31-32页
   ·β-Ga_2O_3微米球的表面形貌第32-33页
   ·自催化微米线的生长机制第33-34页
   ·β-Ga_2O_3微米线的结构特性第34页
   ·β-Ga_2O_3微米线的光学特性第34-35页
   ·小结第35-36页
结论第36-37页
参考 文献第37-40页
攻读硕士学位期间取得的成果第40-41页
致谢第41页

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