| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·基于纳米材料的阻变器件 | 第9-11页 |
| ·基于零位纳米材料（量子点）的阻变器件 | 第9-10页 |
| ·基于一维纳米材料的阻变器件 | 第10-11页 |
| ·基于二维纳米材料的阻变器件 | 第11页 |
| ·半导体器件中载流子的传输机制 | 第11-14页 |
| ·FN隧穿 | 第11-12页 |
| ·空间电荷限制电流 | 第12-13页 |
| ·热电子发射 | 第13页 |
| ·欧姆传导 | 第13-14页 |
| ·阻变存储器件的电阻转变机制 | 第14-17页 |
| ·空间电荷限制电流模型 | 第14-15页 |
| ·导电细丝模型 | 第15-16页 |
| ·与界面相关的阻变机制 | 第16-17页 |
| ·本论文涉及的表征手段和测试方法 | 第17-19页 |
| ·X-射线衍射分析 | 第17页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析 | 第17页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第17-18页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第18页 |
| ·紫外-可见吸收光谱分析 | 第18页 |
| ·Keithley 4200半导体分析仪 | 第18页 |
| ·原子力显微镜 | 第18页 |
| ·等离子体表面处理仪 | 第18-19页 |
| ·基于ZnO纳米棒阻变存储器的研究现状 | 第19-20页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 单层ZnO纳米棒阵列阻变存储器的性能与阻变机理 | 第21-31页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·ZnO纳米棒阵列阻变存储器件的制备 | 第21-23页 |
| ·ZnO纳米棒的材料特性表征 | 第23-25页 |
| ·ZnO纳米棒的晶体结构 | 第23-24页 |
| ·ZnO纳米棒的光致发光和吸收光谱 | 第24页 |
| ·ZnO纳米棒的形貌与组分分析 | 第24-25页 |
| ·单层ZnO纳米棒阵列存储器件导电过程与阻变机制分析 | 第25-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 ZnO/PbS异质结阻变存储器件的机制研究 | 第31-38页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·材料与器件的制备与表征 | 第31-35页 |
| ·PbS量子点的制备与表征 | 第31-33页 |
| ·ZnO纳米棒和PbS量子点复合结构的制备与表征 | 第33-34页 |
| ·器件的制备 | 第34-35页 |
| ·器件的电学性能测试与分析 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 表面修饰对ZnO纳米棒阻变存储器性能的影响 | 第38-49页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·C量子点修饰对器件存储性能的影响 | 第38-42页 |
| ·器件ITO/ZnO NRs(CQDs)/Al的制备 | 第38-40页 |
| ·材料的表征与分析 | 第40-42页 |
| ·器件的电学性能测试与分析 | 第42-46页 |
| ·氩气等离子体处理ZnO纳米棒对器件存储性能的影响 | 第46-48页 |
| ·Ar等离子体处理的实验过程和器件的制备 | 第46页 |
| ·结果分析与讨论 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| ·全文总结 | 第49页 |
| ·今后工作展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
