| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·稀磁半导体的研究情况 | 第8-11页 |
| ·半导体中的杂质 | 第9-10页 |
| ·稀磁半导体的类别 | 第10页 |
| ·稀磁半导体的研究历程 | 第10-11页 |
| ·选题的背景、意义与主要研究内容 | 第11-12页 |
| ·选题的背景和意义 | 第11页 |
| ·本文的研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 理论基础 | 第12-16页 |
| ·密度泛函理论基础 | 第12-14页 |
| ·绝热近似 | 第12-13页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理与粒子数密度泛函 | 第13页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第13-14页 |
| ·计算方法基础 | 第14-16页 |
| ·LMTO-ASA | 第14页 |
| ·第一性原理计算 | 第14页 |
| ·第一性原理计算软件介绍 | 第14-16页 |
| 第三章 稀磁半导体 Mn:AlAs 中过渡金属取代组态的确定 | 第16-23页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·计算细节和结果 | 第16-22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 第四章 稀磁半导体 Mn:AlAs 中无序杂质的研究 | 第23-45页 |
| ·计算参数的设定 | 第24-26页 |
| ·单取代的研究情况 | 第26-39页 |
| ·Mn_Al 结构的计算结果分析 | 第27-32页 |
| ·Mn_T1 结构的计算结果分析 | 第32-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| ·双取代的研究情况 | 第39-45页 |
| ·改变 Mn2 原子浓度的研究 | 第40-42页 |
| ·改变 Mn1 原子浓度的研究 | 第42-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第五章 总结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
