| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 论文的主要创新与贡献 | 第9-10页 |
| 目录 | 第10-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-28页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·传统太阳能电池 | 第14-18页 |
| ·硅基太阳能电池 | 第14-15页 |
| ·多元化合物太阳能电池 | 第15-16页 |
| ·聚合物修饰太阳能电池 | 第16-17页 |
| ·染料敏化太阳能电池 | 第17页 |
| ·量子点太阳能电池 | 第17-18页 |
| ·太阳能电池的展望 | 第18页 |
| ·叠层太阳能电池 | 第18-21页 |
| ·叠层电池的制备方法 | 第19页 |
| ·叠层电池的研究进展 | 第19-21页 |
| ·碳化锗的研究进展 | 第21-25页 |
| ·非晶 Ge_(1-x)C_x的研究 | 第21-22页 |
| ·微晶 Ge_(1-x)C_x的研究 | 第22-24页 |
| ·晶体 Ge_(1-x)C_x的研究 | 第24-25页 |
| ·GeC 的理论计算研究 | 第25页 |
| ·本文的选题背景和意义 | 第25-26页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第2章 薄膜的制备和性能表征 | 第28-42页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·GeC 薄膜的制备工艺 | 第28-33页 |
| ·射频磁控溅射法原理 | 第28-30页 |
| ·实验设备 | 第30-31页 |
| ·工艺参数 | 第31-32页 |
| ·工艺流程 | 第32-33页 |
| ·薄膜的性能表征 | 第33-38页 |
| ·薄膜的表面形貌分析 | 第33-34页 |
| ·薄膜的厚度测定 | 第34页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第34-36页 |
| ·薄膜的结构分析 | 第36-37页 |
| ·薄膜的光学性质分析 | 第37页 |
| ·薄膜的电学性质分析 | 第37-38页 |
| ·理论计算 | 第38-41页 |
| ·第一性原理介绍 | 第38-39页 |
| ·CASTEP 简介 | 第39-40页 |
| ·理论模型和参数 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 非晶 Ge_(1-x)C_x薄膜的制备工艺和性能 | 第42-74页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·射频功率 | 第42-47页 |
| ·晶体结构 | 第42-43页 |
| ·成分和键结构 | 第43-45页 |
| ·沉积速率 | 第45页 |
| ·光学性质 | 第45-47页 |
| ·衬底温度 | 第47-52页 |
| ·晶体结构 | 第48页 |
| ·成分和键结构 | 第48-50页 |
| ·沉积速率 | 第50-51页 |
| ·光学性质 | 第51-52页 |
| ·CH_4气体流量 | 第52-57页 |
| ·晶体结构 | 第52页 |
| ·成分和键结构 | 第52-55页 |
| ·沉积速率 | 第55-56页 |
| ·光学性质 | 第56-57页 |
| ·H_2气体流量 | 第57-61页 |
| ·成分和键结构 | 第58-59页 |
| ·沉积速率 | 第59-60页 |
| ·光学性质 | 第60-61页 |
| ·退火温度对薄膜性能的影响 | 第61-67页 |
| ·晶体结构 | 第61-62页 |
| ·薄膜键结构 | 第62-64页 |
| ·禁带宽度 | 第64-65页 |
| ·带尾态结构 | 第65-66页 |
| ·薄膜电导率 | 第66-67页 |
| ·性能评估 | 第67-72页 |
| ·禁带宽度 | 第67-68页 |
| ·吸收特性 | 第68-69页 |
| ·电学特性 | 第69-70页 |
| ·表面特性 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第4章 微晶 Ge_(1-x)C_x薄膜的制备 | 第74-90页 |
| ·引言 | 第74页 |
| ·衬底温度对薄膜性质的影响 | 第74-78页 |
| ·沉积速率 | 第74-75页 |
| ·光学性质 | 第75-76页 |
| ·晶体结构 | 第76-78页 |
| ·氢气流量对薄膜性质的影响 | 第78-81页 |
| ·沉积速率 | 第78-79页 |
| ·光学性质 | 第79-80页 |
| ·晶体结构 | 第80-81页 |
| ·反应溅射和共溅射对比 | 第81-89页 |
| ·晶体结构 | 第82-83页 |
| ·键结构 | 第83-86页 |
| ·沉积速率 | 第86-87页 |
| ·光学性质 | 第87-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第5章 GeC 表面特性计算 | 第90-104页 |
| ·引言 | 第90页 |
| ·体相 GeC 特性 | 第90-95页 |
| ·计算方法 | 第90-91页 |
| ·弹性常数计算 | 第91-93页 |
| ·电子结构计算 | 第93-95页 |
| ·GeC 的表面模型及计算方法 | 第95-96页 |
| ·表面模型 | 第95-96页 |
| ·计算方法 | 第96页 |
| ·GeC 表面的原子结构 | 第96-99页 |
| ·表面弛豫 | 第96-97页 |
| ·表面能及热稳定性 | 第97-99页 |
| ·GeC 表面的电子结构 | 第99-102页 |
| ·GeC 表面的键角和成键特性 | 第102-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 第6章 B 掺杂 GeC 的模拟计算 | 第104-114页 |
| ·引言 | 第104页 |
| ·掺杂模型 | 第104-105页 |
| ·计算方法 | 第105页 |
| ·不同浓度 B 掺杂下的结构参数 | 第105-106页 |
| ·掺杂浓度对电子结构的影响 | 第106-108页 |
| ·掺杂浓度对光学性质的影响 | 第108-112页 |
| ·本章小结 | 第112-114页 |
| 结论 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-128页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第128-129页 |
| 致谢 | 第129-130页 |