| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-21页 |
| 第一节 研究背景与意义 | 第14-15页 |
| 第二节 硅基薄膜材料和太阳电池 | 第15-19页 |
| ·微晶硅薄膜材料 | 第15-17页 |
| ·非晶硅锗薄膜材料 | 第17页 |
| ·微晶硅锗薄膜材料及电池 | 第17-19页 |
| 第三节 本论文的目的和内容 | 第19-20页 |
| 第四节 本论文的组织结构 | 第20-21页 |
| 第二章 μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜的制备及表征方法 | 第21-44页 |
| 第一节 μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜的制备 | 第21-27页 |
| ·化学气相沉积简介 | 第21-22页 |
| ·RF-PECVD法生长μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜 | 第22-26页 |
| ·化学气相反应过程 | 第23-24页 |
| ·薄膜生长过程 | 第24-26页 |
| ·实验设备介绍 | 第26-27页 |
| 第二节 μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜的测试与表征 | 第27-43页 |
| ·薄膜厚度测试 | 第27-29页 |
| ·薄膜的Ge含量测试 | 第29页 |
| ·薄膜电学特性的测试 | 第29-30页 |
| ·薄膜吸收谱测试 | 第30-34页 |
| ·恒定光电导谱(CPM) | 第30-32页 |
| ·紫外-可见-近红外分光光度计 | 第32-34页 |
| ·薄膜微结构的测试 | 第34-42页 |
| ·Raman散射光谱 | 第34-38页 |
| ·XRD测试 | 第38-39页 |
| ·傅里叶变换红外吸收谱 | 第39-42页 |
| ·薄膜表面形貌测试 | 第42-43页 |
| 第三节 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜的微结构及电学性质的研究 | 第44-80页 |
| 第一节 研究背景 | 第44-47页 |
| ·研究背景 | 第44-47页 |
| ·实验 | 第47页 |
| 第二节 μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜光、暗电导率及光敏性和微结构的研究 | 第47-78页 |
| ·工艺参数对薄膜的Ge含量和晶化率的影响 | 第47-51页 |
| ·Ge含量增加,晶化率减小对μc-Si_(1-x)Ge_x：H电学性能及结构的影响 | 第51-66页 |
| ·Ge-存在于无序网格 | 第51-63页 |
| ·Ge-存在于有序网格 | 第63-66页 |
| ·Ge含量不变,提高晶化率对μc-Si_(1-x)Ge_x：H电学性能及结构的影响 | 第66-71页 |
| ·Ge含量增加,提高晶化率对μc-Si_(1-x)Ge_x：H电学性能及结构的影响 | 第71-76页 |
| ·μc-Si_(1-x)Ge_x：H电学特性随Ge含量的变化的规律总结 | 第76-78页 |
| 第三节 本章小结 | 第78-80页 |
| 第四章 μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜的光吸收特性的研究 | 第80-108页 |
| 第一节 研究背景 | 第80-83页 |
| 第二节 工艺参数对μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜光吸收系数的影响 | 第83-101页 |
| ·电极间距对μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜光吸收性质的影响 | 第83-85页 |
| ·衬底温度对μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜光吸收性质的影响 | 第85-88页 |
| ·氢稀释对μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜光吸收性质的影响 | 第88-90页 |
| ·气体总流量对μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜光吸收性质的影响 | 第90-92页 |
| ·辉光功率对μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜光吸收性质的影响 | 第92-93页 |
| ·沉积气压对μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜光吸收性质的影响 | 第93-95页 |
| ·高压高功率条件下获得高吸收优质μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜 | 第95-101页 |
| 第三节 不同Ge含量μc-Si_(1-x)Ge_x：H的光吸收系数分析 | 第101-104页 |
| 第四节 器件质量级微晶硅锗薄膜 | 第104-106页 |
| 第五节 本章小结 | 第106-108页 |
| 第五章 氢氦共同稀释优化高Ge含量的μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜的电学性能 | 第108-120页 |
| 第一节 研究背景 | 第108-110页 |
| 第二节 He稀释对薄膜微结构的影响 | 第110-118页 |
| ·Ge含量和生长速率 | 第110-111页 |
| ·薄膜的微结构特性 | 第111-117页 |
| ·薄膜的光电特性 | 第117-118页 |
| 第三节 本章小结 | 第118-120页 |
| 第六章 总结与展望 | 第120-123页 |
| 第一节 本论文所取得的主要研究结果 | 第120-122页 |
| ·μc-Si_(1-x)Ge_x：H薄膜微结构及光电性能的研究 | 第120-122页 |
| 第二节 有待进一步开展的工作 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第134页 |
| 个人简历 | 第134页 |
| 在学期间发表的学术论文 | 第134页 |
