| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| ·太阳能光伏产业的前景及发展现状 | 第10-11页 |
| ·太阳电池的工作原理 | 第11-14页 |
| ·太阳电池中的光学损失 | 第14-15页 |
| ·太阳电池中与减少光损失相关的研究现状 | 第15-20页 |
| ·SiN_x减反膜在多晶硅太阳电池中的应用 | 第20-22页 |
| ·SiN_x薄膜的发展 | 第20页 |
| ·与其他减反膜的比较 | 第20-21页 |
| ·光伏行业中常见的SiN_x减反膜制备方法 | 第21-22页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第22-23页 |
| ·本文研究的实施方案与技术路线 | 第23-25页 |
| 第二章 多晶硅表面减反射结构优化研究 | 第25-40页 |
| ·多晶硅表面织构化优化设计 | 第25-32页 |
| ·多晶硅表面织构化研究背景 | 第25-28页 |
| ·实验过程 | 第28页 |
| ·实验结果与分析 | 第28-32页 |
| ·PECVD沉积SiN_x工艺优化设计 | 第32-38页 |
| ·PECVD沉积SiN_x工艺研究背景 | 第32-34页 |
| ·实验过程 | 第34-35页 |
| ·实验结果与分析 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 多晶硅表面酸腐蚀织构化研究 | 第40-56页 |
| ·主要原材料及规格 | 第40-41页 |
| ·主要设备和仪器 | 第41页 |
| ·多晶硅太阳电池表面织构化的制备与表征 | 第41-43页 |
| ·多晶硅太阳电池表面织构化 | 第41-42页 |
| ·扩散制结 | 第42页 |
| ·等离子刻蚀和二次清洗 | 第42-43页 |
| ·PECVD沉积SiN_x薄膜 | 第43页 |
| ·丝网印刷和烧结 | 第43页 |
| ·太阳电池电性能测试 | 第43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-55页 |
| ·不同HF：HNO_3：H_2O腐蚀配比对硅片对多晶硅表面的影响 | 第43-48页 |
| ·不同腐蚀温度和时间对多晶硅表面的影响 | 第48-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 PECVD制备SiN_x减反膜及其性能研究 | 第56-70页 |
| ·实验原料与化学试剂 | 第57页 |
| ·主要设备和仪器 | 第57-58页 |
| ·SiN_x减反膜的制备与表征 | 第58-59页 |
| ·SiN_x减反膜的制备 | 第58-59页 |
| ·SiN_x减反膜的表征 | 第59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-69页 |
| ·不同SiH_4/NH_3条件下制备的SiN_x薄膜对太阳电池性能的影响 | 第59-64页 |
| ·不同厚度双层SiN_x薄膜对多晶硅太阳电池性能的影响 | 第64-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 结论与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 附录A (攻读学位期间发表的论文) | 第80-81页 |
| 附录B | 第81页 |
