| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·ZnO的基本结构与性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·ZnO的基本物理性质 | 第12-13页 |
| ·一维ZnO纳米材料的生长研究 | 第13-18页 |
| ·一维ZnO纳米材料的制备 | 第13-15页 |
| ·一维ZnO纳米材料的生长和形貌研究 | 第15-16页 |
| ·In掺杂对ZnO纳米线的生长和形貌影响研究 | 第16-18页 |
| ·ZnO的光致发光性质研究 | 第18-21页 |
| ·激子复合发光 | 第18-19页 |
| ·杂质缺陷能级跃迁发光 | 第19-21页 |
| ·ZnO中缺陷复合体研究 | 第21-23页 |
| ·ZnO中受主杂质相关的缺陷复合体研究 | 第21-22页 |
| ·ZnO中Ⅲ族元素掺杂引起的缺陷复合体研究 | 第22-23页 |
| ·本文主要研究内容和思路 | 第23-26页 |
| 第二章 实验内容和性能表征 | 第26-36页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·CVD法制备In掺杂ZnO纳米线的原理和过程 | 第26-30页 |
| ·实验原理 | 第26-27页 |
| ·实验设备 | 第27页 |
| ·实验过程 | 第27-30页 |
| ·In掺杂ZnO纳米线光催化罗丹明B溶液 | 第30-31页 |
| ·实验原理 | 第30页 |
| ·实验设备 | 第30-31页 |
| ·实验过程 | 第31页 |
| ·ALD包覆Al_2O_3层 | 第31-32页 |
| ·退火方法与条件 | 第32页 |
| ·材料表征 | 第32-36页 |
| ·形貌表征(SEM、TEM) | 第32-33页 |
| ·组分表征(XRD、EDS、SIMS、XPS) | 第33-34页 |
| ·性能表征(UV-vis、PL) | 第34-35页 |
| ·缺陷表征(EPR、XANES) | 第35-36页 |
| 第三章 In掺杂ZnO纳米线的生长和光催化性能研究 | 第36-52页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·CVD法制备ZnO纳米线及其表征 | 第36-48页 |
| ·CVD法制备ZnO纳米线 | 第36-37页 |
| ·形貌研究 | 第37-40页 |
| ·组分分析 | 第40-44页 |
| ·微观结构研究 | 第44-47页 |
| ·表面缺陷研究 | 第47-48页 |
| ·In掺杂ZnO纳米线的光催化性能研究 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 In掺杂ZnO纳米线的光致发光性质研究 | 第52-64页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·未掺杂ZnO纳米线光致发光性质研究 | 第52-53页 |
| ·In掺杂ZnO纳米线光致发光性质研究 | 第53-58页 |
| ·In掺杂含量对ZnO纳米线PL性能的影响 | 第53-54页 |
| ·变温PL特性研究 | 第54-56页 |
| ·变激发强度PL特性研究 | 第56-58页 |
| ·表面态对In掺杂ZnO纳米线的光致发光影响研究 | 第58-60页 |
| ·ALD法包覆Al_2O_3层 | 第58-59页 |
| ·表面态对PL性能的影响 | 第59-60页 |
| ·退火处理对In掺杂ZnO纳米线的光致发光影响研究 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-64页 |
| 第五章 In掺杂ZnO纳米线中缺陷复合体研究 | 第64-72页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·In掺杂ZnO纳米线中V_(Zn)的研究 | 第64-66页 |
| ·In掺杂ZnO纳米线中In_(Zn)-V_(Zn)复合体研究 | 第66-70页 |
| ·In_(Zn)-V_(Zn)复合体的确定(XANES) | 第66-68页 |
| ·In_(Zn)-V_(Zn)复合体的结构模型和形成能 | 第68-70页 |
| ·In_(Zn)-V_(Zn)复合体对In掺杂ZnO纳米线发光性能的影响机制 | 第70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 个人简历 | 第86-88页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第88页 |
