| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-42页 |
| ·新型非易失性存储器的发展概述 | 第12-15页 |
| ·新型非易失性存储器的研究背景 | 第12-14页 |
| ·多种非易失性存储器的比较 | 第14-15页 |
| ·相变存储器概述 | 第15-18页 |
| ·相变存储器的基本原理 | 第15-17页 |
| ·新型相变材料的筛选标准 | 第17-18页 |
| ·相变存储器关键性能介绍 | 第18-28页 |
| ·相变存储器的尺寸微缩性能 | 第18-22页 |
| ·相变存储器的操作速度 | 第22-24页 |
| ·相变存储器的数据保持力 | 第24-25页 |
| ·相变存储器的擦写耐久力 | 第25-28页 |
| ·相变存储器的应用前景 | 第28-33页 |
| ·相变存储器替代SRAM的前景 | 第29-30页 |
| ·相变存储器替代DRAM的前景 | 第30-31页 |
| ·相变存储器替代Flash的前景 | 第31-32页 |
| ·相变存储器替代SCM的前景 | 第32-33页 |
| ·本论文的工作意义、目的和内容 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-42页 |
| 第二章 二元碲化物相变材料薄膜制备与表征方法 | 第42-55页 |
| ·二元碲化物材料的制备工艺 | 第42-46页 |
| ·二元碲化物材料靶材的制备 | 第42-43页 |
| ·磁控溅射系统介绍 | 第43-45页 |
| ·脉冲激光沉积系统介绍 | 第45-46页 |
| ·二元碲化物薄膜的基本物性表征 | 第46-48页 |
| ·薄膜的晶体结构表征 | 第46-47页 |
| ·薄膜的厚度和表面形貌表征 | 第47页 |
| ·薄膜的热力学性质表征 | 第47-48页 |
| ·薄膜的光学性质表征 | 第48页 |
| ·二元碲化物薄膜的相变存储特性表征 | 第48-49页 |
| ·二元碲化物相变存储单元测试系统介绍 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第三章 GeTe_4薄膜及其相变存储原型器件的物性表征与存储特性研究 | 第55-84页 |
| ·研究背景 | 第55-56页 |
| ·GeTe_4相变材料薄膜制备及物性表征 | 第56-66页 |
| ·GeTe_4相变材料薄膜的制备 | 第56-58页 |
| ·GeTe_4薄膜的结晶温度与熔点的测定 | 第58-59页 |
| ·沉积态和退火处理后GeTe_4薄膜的结构表征 | 第59-60页 |
| ·非晶态和晶态GeTe_4薄膜厚度的表征 | 第60-62页 |
| ·GeTe_4薄膜表面形貌的表征 | 第62-63页 |
| ·GeTe_4薄膜光学带隙的测定 | 第63-66页 |
| ·GeTe_4相变材料薄膜的存储特性 | 第66-69页 |
| ·GeTe_4相变材料薄膜电学性能表征 | 第66-68页 |
| ·GeTe_4相变材料薄膜的非晶态热稳定性 | 第68-69页 |
| ·GeTe_4相变存储原型器件的开关特性与存储机理研究 | 第69-76页 |
| ·GeTe_4相变存储原型器件的制备 | 第69-72页 |
| ·直流模式下GeTe_4相变存储原型器件的I-V特性 | 第72-73页 |
| ·脉冲模式下GeTe_4相变存储原型器件的开关特性 | 第73-76页 |
| ·新型相变材料GeTe_4与GST的比较 | 第76-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第四章 静水压对菱方晶相Sb_2Te_3相变材料薄膜电学性能影响的研究 | 第84-106页 |
| ·研究背景 | 第84-86页 |
| ·菱方晶相Sb_2Te_3相变材料薄膜制备及物性表征 | 第86-91页 |
| ·菱方晶相Sb_2Te_3相变材料薄膜制备 | 第86页 |
| ·沉积态和退火处理后Sb_2Te_3薄膜的结构表征 | 第86-87页 |
| ·非晶态和晶态Sb_2Te_3薄膜的厚度表征 | 第87-89页 |
| ·非晶态和晶态Sb_2Te_3薄膜的表面形貌表征 | 第89-91页 |
| ·菱方晶相Sb_2Te_3薄膜的电阻温度特性关系 | 第91页 |
| ·静水压对菱方晶相Sb_2Te_3薄膜电阻的影响 | 第91-94页 |
| ·静水压下电阻测试简介 | 第91-93页 |
| ·静水压下菱方晶相Sb_2Te_3薄膜电学性质表征 | 第93-94页 |
| ·菱方晶相Sb_2Te_3薄膜电阻随压强变化的机制研究 | 第94-101页 |
| ·半导体材料的电阻与禁带宽度随压强变化的关系 | 第94-95页 |
| ·电阻随压强变化的实验与计算结果的比较 | 第95-96页 |
| ·菱方晶相Sb_2Te_3基本物性第一性原理的计算 | 第96-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-106页 |
| 第五章 结论与展望 | 第106-109页 |
| ·结论 | 第106-108页 |
| ·今后工作的展望 | 第108-109页 |
| Publication List | 第109-110页 |
| 申请的中国专利 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
