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二元碲化物相变材料存储特性的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-12页
第一章 绪论第12-42页
   ·新型非易失性存储器的发展概述第12-15页
     ·新型非易失性存储器的研究背景第12-14页
     ·多种非易失性存储器的比较第14-15页
   ·相变存储器概述第15-18页
     ·相变存储器的基本原理第15-17页
     ·新型相变材料的筛选标准第17-18页
   ·相变存储器关键性能介绍第18-28页
     ·相变存储器的尺寸微缩性能第18-22页
     ·相变存储器的操作速度第22-24页
     ·相变存储器的数据保持力第24-25页
     ·相变存储器的擦写耐久力第25-28页
   ·相变存储器的应用前景第28-33页
     ·相变存储器替代SRAM的前景第29-30页
     ·相变存储器替代DRAM的前景第30-31页
     ·相变存储器替代Flash的前景第31-32页
     ·相变存储器替代SCM的前景第32-33页
   ·本论文的工作意义、目的和内容第33-35页
 参考文献第35-42页
第二章 二元碲化物相变材料薄膜制备与表征方法第42-55页
   ·二元碲化物材料的制备工艺第42-46页
     ·二元碲化物材料靶材的制备第42-43页
     ·磁控溅射系统介绍第43-45页
     ·脉冲激光沉积系统介绍第45-46页
   ·二元碲化物薄膜的基本物性表征第46-48页
     ·薄膜的晶体结构表征第46-47页
     ·薄膜的厚度和表面形貌表征第47页
     ·薄膜的热力学性质表征第47-48页
     ·薄膜的光学性质表征第48页
   ·二元碲化物薄膜的相变存储特性表征第48-49页
   ·二元碲化物相变存储单元测试系统介绍第49-51页
   ·本章小结第51-52页
 参考文献第52-55页
第三章 GeTe_4薄膜及其相变存储原型器件的物性表征与存储特性研究第55-84页
   ·研究背景第55-56页
   ·GeTe_4相变材料薄膜制备及物性表征第56-66页
     ·GeTe_4相变材料薄膜的制备第56-58页
     ·GeTe_4薄膜的结晶温度与熔点的测定第58-59页
     ·沉积态和退火处理后GeTe_4薄膜的结构表征第59-60页
     ·非晶态和晶态GeTe_4薄膜厚度的表征第60-62页
     ·GeTe_4薄膜表面形貌的表征第62-63页
     ·GeTe_4薄膜光学带隙的测定第63-66页
   ·GeTe_4相变材料薄膜的存储特性第66-69页
     ·GeTe_4相变材料薄膜电学性能表征第66-68页
     ·GeTe_4相变材料薄膜的非晶态热稳定性第68-69页
   ·GeTe_4相变存储原型器件的开关特性与存储机理研究第69-76页
     ·GeTe_4相变存储原型器件的制备第69-72页
     ·直流模式下GeTe_4相变存储原型器件的I-V特性第72-73页
     ·脉冲模式下GeTe_4相变存储原型器件的开关特性第73-76页
   ·新型相变材料GeTe_4与GST的比较第76-79页
   ·本章小结第79-81页
 参考文献第81-84页
第四章 静水压对菱方晶相Sb_2Te_3相变材料薄膜电学性能影响的研究第84-106页
   ·研究背景第84-86页
   ·菱方晶相Sb_2Te_3相变材料薄膜制备及物性表征第86-91页
     ·菱方晶相Sb_2Te_3相变材料薄膜制备第86页
     ·沉积态和退火处理后Sb_2Te_3薄膜的结构表征第86-87页
     ·非晶态和晶态Sb_2Te_3薄膜的厚度表征第87-89页
     ·非晶态和晶态Sb_2Te_3薄膜的表面形貌表征第89-91页
   ·菱方晶相Sb_2Te_3薄膜的电阻温度特性关系第91页
   ·静水压对菱方晶相Sb_2Te_3薄膜电阻的影响第91-94页
     ·静水压下电阻测试简介第91-93页
     ·静水压下菱方晶相Sb_2Te_3薄膜电学性质表征第93-94页
   ·菱方晶相Sb_2Te_3薄膜电阻随压强变化的机制研究第94-101页
     ·半导体材料的电阻与禁带宽度随压强变化的关系第94-95页
     ·电阻随压强变化的实验与计算结果的比较第95-96页
     ·菱方晶相Sb_2Te_3基本物性第一性原理的计算第96-101页
   ·本章小结第101-103页
 参考文献第103-106页
第五章 结论与展望第106-109页
   ·结论第106-108页
   ·今后工作的展望第108-109页
Publication List第109-110页
申请的中国专利第110-111页
致谢第111-112页

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