脉冲激光沉积氮化硅薄膜的工艺研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·氮化硅薄膜的性质及应用 | 第8-11页 |
| ·氮化硅的晶体结构 | 第8-9页 |
| ·氮化硅薄膜的基本特性 | 第9页 |
| ·氮化硅薄膜材料的应用 | 第9-11页 |
| ·氮化硅薄膜的制备方法 | 第11-15页 |
| ·直接氮化法 | 第11页 |
| ·物理气相沉积 | 第11-13页 |
| ·化学气相沉积 | 第13-15页 |
| ·本课题的研究目的及研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 PLD技术的原理及研究现状 | 第16-24页 |
| ·PLD的发展历程及研究现状 | 第16页 |
| ·PLD技术的基本原理 | 第16-21页 |
| ·激光与靶材相互作用 | 第17-18页 |
| ·等离子体的定向局部等温绝热膨胀 | 第18-19页 |
| ·等离子体与基片相互作用成膜 | 第19-21页 |
| ·PLD技术的优缺点 | 第21-22页 |
| ·PLD技术的应用 | 第22-24页 |
| ·高温超导薄膜 | 第22页 |
| ·金刚石和类金刚石薄膜 | 第22页 |
| ·半导体薄膜 | 第22-23页 |
| ·铁电薄膜 | 第23-24页 |
| 第3章 实验方案及表征手段 | 第24-34页 |
| ·实验仪器及设备 | 第24-26页 |
| ·实验原料准备 | 第26-27页 |
| ·靶材 | 第26-27页 |
| ·基片选择及预处理 | 第27页 |
| ·实验参数选择 | 第27-29页 |
| ·氮气分压 | 第27-28页 |
| ·基片温度 | 第28页 |
| ·脉冲能量 | 第28页 |
| ·退火处理 | 第28-29页 |
| ·实验工艺流程 | 第29-30页 |
| ·实验表征手段 | 第30-34页 |
| ·X射线衍射分析(XRD)——结构分析 | 第30-31页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)——形貌分析 | 第31-32页 |
| ·椭偏光谱仪——膜厚及折射率分析 | 第32-34页 |
| 第4章 实验结果分析 | 第34-51页 |
| ·氮化硅薄膜生长机理研究 | 第34-35页 |
| ·气相粒子的吸附 | 第34-35页 |
| ·核的生成与长大 | 第35页 |
| ·岛的形成与结合 | 第35页 |
| ·各工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响 | 第35-51页 |
| ·氮气分压对氮化硅薄膜性能的影响 | 第35-39页 |
| ·基片温度对氮化硅薄膜性能的影响 | 第39-43页 |
| ·脉冲能量对氮化硅薄膜性能的影响 | 第43-47页 |
| ·退火处理对氮化硅薄膜性能的影响 | 第47-51页 |
| 第5章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
