| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·增益介质 | 第12-18页 |
| ·增益介质的种类 | 第12-13页 |
| ·增益介质的光物理性质 | 第13-14页 |
| ·有机半导体中的增益 | 第14-18页 |
| ·谐振腔 | 第18-29页 |
| ·激光谐振腔的基本性质 | 第18-21页 |
| ·微腔激光 | 第21-22页 |
| ·法布里-珀罗波导激光 | 第22页 |
| ·微环和微球谐振腔 | 第22-24页 |
| ·宏观的激光谐振腔 | 第24页 |
| ·衍射谐振腔 | 第24-28页 |
| ·谐振腔总结 | 第28-29页 |
| ·有机半导体激光的应用 | 第29-30页 |
| 第二章 基于 SU8 的 DFB 结构器件的边发射窄化现象 | 第30-45页 |
| ·DFB 结构的制作 | 第30-34页 |
| ·玻璃基片的准备 | 第31页 |
| ·SU8 样品的双光束干涉曝光 | 第31-32页 |
| ·DFB 结构的表征 | 第32-34页 |
| ·基于 DFB 结构的光泵浦器件的制备 | 第34-36页 |
| ·增益介质 TDPVBi 的简介 | 第34-35页 |
| ·TDPVBi 光泵浦器件的制备 | 第35页 |
| ·器件的测试 | 第35-36页 |
| ·光栅周期的优化 | 第36-37页 |
| ·边发射光谱的测试及讨论 | 第37-42页 |
| ·边发射光谱与偏振角度的关系 | 第37-39页 |
| ·边发射双峰的阈值测试 | 第39-40页 |
| ·发光峰位与光栅周期和 TDPVBi 膜厚的关系 | 第40-42页 |
| ·实验结果分析 | 第42-44页 |
| ·结论 | 第44-45页 |
| 第三章 漏模模式下的 DFB 激光 | 第45-51页 |
| ·160nm‐180nm 光栅周期中的激光 | 第45-48页 |
| ·光栅结构的表征 | 第45-46页 |
| ·160nm‐180nm 周期器件的边发射测试 | 第46页 |
| ·180nm 周期器件的阈值测试 | 第46-48页 |
| ·不同 TDPVBi 膜厚下器件的边发射光谱 | 第48页 |
| ·器件边发射的小角度测试 | 第48-49页 |
| ·实验结果的分析 | 第49-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-59页 |
| 作者简历 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |