摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
1 绪论 | 第8-12页 |
·纳米技术应用于SERS活性基底的发展 | 第8-10页 |
·纳米材料 | 第8-9页 |
·金属纳米粒子SERS活性基底 | 第9页 |
·半导体纳米材料SERS活性基底 | 第9-10页 |
·SERS活性基底的研究现状 | 第10-11页 |
·本论文的选题和研究内容 | 第11-12页 |
2 拉曼光谱技术 | 第12-22页 |
·拉曼散射原理 | 第12-16页 |
·拉曼散射经典理论解释 | 第13-15页 |
·拉曼散射量子理论解释 | 第15-16页 |
·拉曼光谱的特征量 | 第16-19页 |
·特征拉曼频率 | 第16-17页 |
·拉曼散射强度 | 第17-18页 |
·退偏比 | 第18-19页 |
·拉曼光谱技术的特点 | 第19页 |
·主要拉曼光谱分析技术 | 第19-22页 |
3 表面增强拉曼散射光谱技术 | 第22-30页 |
·SERS的发展 | 第22-23页 |
·SERS效应增强机理模型解释 | 第23-24页 |
·SERS物理增强模型解释 | 第23-24页 |
·SERS的化学增强模型解释 | 第24页 |
·SERS活性基底介绍 | 第24-27页 |
·金属电极活性基底 | 第25页 |
·金属溶胶活性基底 | 第25-26页 |
·金属岛膜活性基底 | 第26页 |
·化学刻蚀和化学沉积的活性基底 | 第26页 |
·平板印刷和有序组装活性基底 | 第26-27页 |
·SERS技术应用 | 第27-30页 |
·单分子检测 | 第28页 |
·生物、医学体系 | 第28-29页 |
·化学和工业 | 第29页 |
·艺术、考古领域 | 第29-30页 |
4 硅纳米线的制备 | 第30-39页 |
·实验部分 | 第30-31页 |
·实验试剂和仪器 | 第30页 |
·实验过程 | 第30-31页 |
·结果与讨论 | 第31-35页 |
·不同刻蚀时间硅纳米线阵列的形貌 | 第31-33页 |
·硅纳米线长度与刻蚀时间的关系 | 第33-35页 |
·化学刻蚀硅纳米线理论解释 | 第35-37页 |
·硅纳米线的性能和应用 | 第37-38页 |
·硅纳米线的性能 | 第37-38页 |
·硅纳米线的应用进展 | 第38页 |
·实验小结 | 第38-39页 |
5 光还原纳米银修饰硅纳米线阵列(Ag/SINWs)的SERS研究 | 第39-51页 |
·Ag/SINWs活性基底的制备 | 第39-41页 |
·实验部分 | 第39页 |
·Ag/SINWs活性基底形貌 | 第39-41页 |
·Ag/SINWs活性基底吸附R6G的SERS研究 | 第41-49页 |
·实验部分 | 第41-42页 |
·结果与讨论 | 第42-49页 |
·实验小结 | 第49-51页 |
结论 | 第51-53页 |
参考文献 | 第53-58页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第58-59页 |
致谢 | 第59-60页 |