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半导体桥火工品静电损伤规律及理论模拟

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
1 绪论第10-21页
   ·研究的目的和意义第10页
   ·SCB火工品简介及国内外研究现状第10-14页
     ·SCB火工品简介第10-11页
     ·SCB静电放电及防护国内研究现状第11-12页
     ·SCB静电放电及防护国外研究现状第12-14页
   ·半导体桥静电作用的理论模拟第14-16页
     ·Ansoft Maxwell软件的简要介绍第15页
     ·三维静电场的使用第15-16页
   ·气体和固体介质的电气特性第16-19页
     ·气体中带电质点的产生与消失第16-17页
     ·气体间隙的击穿第17-18页
     ·液体介质的击穿第18页
     ·固体介质的击穿第18-19页
   ·本文的主要研究内容第19-21页
2 标准半导体桥火工品静电损伤规律研究第21-37页
   ·标准SCB火工品(LTNR)静电作用前后性能对比第22-30页
     ·静电作用前后电阻变化规律第22-24页
     ·50%发火电压、点火能量、点火时间的对比第24-25页
     ·恒流源激励下安全电流测试第25-28页
     ·I-V曲线变化规律第28-30页
   ·标准SCB火工品(NHA)静电作用前后性能对比第30-33页
     ·静电作用前后电阻变化规律第30-31页
     ·恒流源激励下安全电流测试第31-33页
   ·不同药剂的对比研究第33-36页
   ·小结第36-37页
3 微型半导体桥火工品静电损伤规律研究第37-46页
   ·微型SCB火工品(LTNR)静电作用前后性能对比第37-44页
     ·静电作用前后电阻变化规律第37-40页
     ·50%发火电压、点火能量、点火时间的对比第40-42页
     ·性能劣化阈值的判定第42-43页
     ·I-V曲线变化规律第43-44页
   ·标准半导体桥火工品与微型半导体桥火工品的对比第44-45页
   ·小结第45-46页
4 半导体桥静电放电脚-壳间模拟结果及击穿机理探讨第46-56页
   ·半导体桥脚-壳间模拟第46-52页
     ·Ansoft Maxwell软件参数设置第46-47页
     ·半导体桥脚-壳间模拟结果分析第47-52页
   ·半导体桥火工品脚-壳间击穿机理探讨第52-54页
     ·半导体桥火工品脚-壳间击穿实验第52-54页
     ·半导体桥火工品脚-壳间击穿机理探讨第54页
   ·小结第54-56页
5 电路仿真工具PSPICE在SCB电路模拟中的应用第56-61页
   ·PSPICE的基本组成第56-57页
   ·半导体桥特性及其电气模型第57-59页
   ·半导体桥简单模型的探讨第59页
   ·小结第59-61页
结论第61-63页
致谢第63-64页
参考文献第64-67页
附录第67-72页

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