摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
目录 | 第5-8页 |
1 绪论 | 第8-16页 |
·纳米材料 | 第8-10页 |
·纳米材料的应用 | 第8-9页 |
·纳米材料的制备方法 | 第9-10页 |
·硫化物半导体纳米材料 | 第10-13页 |
·硫化物半导体纳米材料的特性 | 第10页 |
·硫化物半导体纳米材料的制备方法 | 第10-13页 |
·硫化物半导体纳米材料的研究现状 | 第13-15页 |
·硫化锑(Sb_2S_3) | 第13-14页 |
·硫化镍(NiS) | 第14页 |
·硫化锌(ZnS) | 第14-15页 |
·本文研究内容 | 第15-16页 |
2 Sb_2S_3纳米晶的制备、表征和催化性能研究 | 第16-38页 |
·试剂与仪器 | 第16-17页 |
·试剂 | 第16页 |
·仪器 | 第16-17页 |
·Sb_2S_3纳米晶的制备 | 第17-18页 |
·制备前躯体乙基黄原酸锑((C_2H_5OCS_2)_3Sb) | 第17页 |
·室温界面法制备Sb_2S_3纳米晶 | 第17页 |
·实验过程 | 第17-18页 |
·Sb_2S_3纳米晶的表征 | 第18-26页 |
·透射电镜(TEM)表征 | 第18-20页 |
·扫描电镜(SEM)表征 | 第20-21页 |
·X-射线粉末衍射(XRD)表征 | 第21-22页 |
·能量散射X-射线能谱(EDS)表征 | 第22-23页 |
·X-射线光电子能谱(XPS)表征 | 第23-24页 |
·拉曼光谱(Raman)表征 | 第24页 |
·紫外-可见漫反射(Uv-vis DRS)表征 | 第24-26页 |
·反应条件对Sb_2S_3纳米晶形貌的影响 | 第26-32页 |
·反应时间的影响 | 第26-28页 |
·外界扰动的影响 | 第28-30页 |
·浓度的影响 | 第30-31页 |
·其他条件的影响 | 第31-32页 |
·Sb_2S_3纳米晶的光催化性能研究 | 第32-37页 |
·实验方法 | 第32-33页 |
·实验过程 | 第33页 |
·光催化效果分析 | 第33-37页 |
·本章小结 | 第37-38页 |
3 NiS纳米晶的制备和表征 | 第38-48页 |
·试剂与仪器 | 第38页 |
·试剂 | 第38页 |
·仪器 | 第38页 |
·NiS纳米晶的制备 | 第38-40页 |
·制备前躯体乙基黄原酸镍((C_2H_5OCS_2)_2Ni) | 第38-39页 |
·室温界面法制备NiS纳米晶 | 第39页 |
·实验过程 | 第39-40页 |
·NiS纳米晶的表征 | 第40-42页 |
·透射电镜(TEM)表征 | 第40-41页 |
·X-射线光电子能谱(XPS)表征 | 第41页 |
·紫外-可见吸收(Uv-vis)表征 | 第41-42页 |
·反应条件对NiS纳米晶的影响 | 第42-47页 |
·反应时间的影响 | 第42-43页 |
·浓度的影响 | 第43-46页 |
·溶剂的影响 | 第46-47页 |
·本章小结 | 第47-48页 |
4 ZnS纳米晶的制备、表征和催化性能研究 | 第48-59页 |
·试剂与仪器 | 第48页 |
·试剂 | 第48页 |
·仪器 | 第48页 |
·ZnS纳米晶的制备 | 第48-49页 |
·制备前躯体乙基黄原酸锌((C_2H_5OCS_2)_2Zn) | 第48-49页 |
·溶剂热法制备ZnS纳米晶 | 第49页 |
·ZnS纳米晶的表征 | 第49-52页 |
·扫描电镜(SEM)表征 | 第49页 |
·透射电镜(TEM)表征 | 第49-50页 |
·红外吸收(FT-IR)表征 | 第50-51页 |
·紫外-可见漫反射(Uv-vis DRS)表征 | 第51-52页 |
·反应条件对ZnS纳米晶形貌的影响 | 第52-54页 |
·ZnS纳米晶的光催化性能测试 | 第54-56页 |
·实验方法 | 第54页 |
·实验过程 | 第54页 |
·光催化效果分析 | 第54-56页 |
·ZnS与Sb_2S_3混合样品的光催化性能测试 | 第56-58页 |
·制备样品 | 第56-57页 |
·混合样品的光催化性能测试 | 第57-58页 |
·本章小结 | 第58-59页 |
5 本文总结 | 第59-60页 |
致谢 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-68页 |
附录 | 第68页 |