| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-27页 |
| ·课题研究背景、目的及意义 | 第10-11页 |
| ·半导体光催化分解水的研究进展 | 第11-12页 |
| ·TiO_2的基本性质 | 第12-15页 |
| ·TiO_2纳米管阵列的制备方法 | 第15-16页 |
| ·TiO_2纳米管修饰改性 | 第16-21页 |
| ·CdSe/TiO_2纳米管复合薄膜的研究进展 | 第21-23页 |
| ·电化学原子层外延（ECALE）技术的基本原理及发展应用 | 第23-25页 |
| ·课题主要的研究内容 | 第25-27页 |
| 2 TiO_2纳米管阵列的制备及表征 | 第27-41页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·TiO_2纳米管阵列的制备方法 | 第27-28页 |
| ·阳极氧化原理 | 第28-32页 |
| ·两步阳极氧化法制备 TiO_2纳米管阵列 | 第32-35页 |
| ·TiO_2纳米管阵列薄膜表征 | 第35-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 3 CdSe/TiO_2纳米管阵列同轴异质结的制备 | 第41-50页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第41-42页 |
| ·试样表征手段 | 第42页 |
| ·CdSe/TiO_2纳米管阵列同轴异质结的制备 | 第42-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 4 CdSe/TiO_2纳米管阵列同轴异质结的光电化学性能 | 第50-64页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第50-51页 |
| ·光学性能测试 | 第51页 |
| ·电化学性能测试 | 第51-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 5 Cu 掺杂对于同轴异质结光电化学性能的影响 | 第64-71页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第64-65页 |
| ·铜在 TiO_2/CdSe 衬底衬底上的电化学行为 | 第65-66页 |
| ·中途干燥处理对于样品光电活性的影响 | 第66-67页 |
| ·Cu 的掺杂电量对于样品光电活性的影响 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 6 全文总结及展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-86页 |
| 附录：硕士期间发表和待发表研究成果 | 第86页 |
