| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-38页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·宽带隙半导体一维纳米结构的研究概况 | 第11-19页 |
| ·一维纳米材料概述 | 第11-14页 |
| ·GaN 一维纳米结构 | 第14-16页 |
| ·ZnO 一维纳米材料 | 第16-17页 |
| ·Si_3N_4 一维纳米结构 | 第17-18页 |
| ·Ga_2O_3 一维纳米材料 | 第18-19页 |
| ·SiC 及其一维纳米材料研究概述 | 第19-25页 |
| ·SiC 多型的晶体结构 | 第19-21页 |
| ·SiC 的物理和化学性质 | 第21-22页 |
| ·SiC 的重要应用 | 第22-23页 |
| ·SiC 一维纳米材料的研究概述 | 第23-25页 |
| ·纳米材料的掺杂 | 第25-28页 |
| ·纳米材料的掺杂概述 | 第25-26页 |
| ·SiC 的n 型和p 型掺杂 | 第26-27页 |
| ·SiC 掺杂研究概况 | 第27-28页 |
| ·场发射概述 | 第28-34页 |
| ·场发射原理 | 第28-32页 |
| ·场致发射研究的意义 | 第32-33页 |
| ·场致发射的研究概况 | 第33-34页 |
| ·本文选题依据、主要内容及创新点 | 第34-38页 |
| ·本文的选题依据 | 第34-35页 |
| ·本文的研究内容 | 第35-36页 |
| ·本文的主要创新点 | 第36-38页 |
| 2 实验部分 | 第38-46页 |
| ·实验所用主要原料和仪器设备 | 第38页 |
| ·实验所用主要原料及辅助材料 | 第38页 |
| ·实验所用主要仪器设备 | 第38页 |
| ·实验方法 | 第38-41页 |
| ·N 掺杂SiC 一维纳米材料的合成工艺方法 | 第38-39页 |
| ·N 掺杂SiC 一维纳米材料的等离子体处理实验方法 | 第39-40页 |
| ·N 掺杂SiC 一维纳米材料的纯化处理实验方法 | 第40页 |
| ·不同形貌SiC 一维纳米材料的合成工艺方法 | 第40-41页 |
| ·SiC 一维纳米材料的场发射性能研究方法 | 第41-44页 |
| ·场发射性能测试装置 | 第41-42页 |
| ·超高真空系统 | 第42-43页 |
| ·场发射特性测试步骤 | 第43-44页 |
| ·评价参数 | 第44页 |
| ·SiC 一维纳米材料的主要表征方法 | 第44-46页 |
| 3 N 掺杂 SiC 一维纳米材料的合成及场发射性能研究 | 第46-56页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·N 掺杂SiC 一维纳米材料的形貌分析 | 第47-48页 |
| ·N 掺杂SiC 一维纳米材料的化学组成 | 第48页 |
| ·N 掺杂SiC 一维纳米材料的微观结构分析 | 第48-52页 |
| ·N 掺杂SiC 一维纳米材料的场发射性能测试及机理分析 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 4 N 掺杂 SiC 一维纳米材料的等离子处理及场发射性能研究 | 第56-62页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·等离子体处理前后N 掺杂SiC 一维纳米材料的形貌分析 | 第57-59页 |
| ·等离子体处理后N 掺杂SiC 一维纳米材料的微观结构分析 | 第59-60页 |
| ·等离子体处理前后N 掺杂SiC 一维纳米材料的场发射性能研究 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 5 N 掺杂 SiC 一维纳米材料的纯化及场发射性能研究 | 第62-70页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·纯化前后N 掺杂SiC 一维纳米材料的形貌分析 | 第63-64页 |
| ·纯化前后N 掺杂SiC 一维纳米材料的微观结构分析 | 第64-65页 |
| ·纯化前后N 掺杂SiC 一维纳米材料的场发射性能研究 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 6 不同形貌 SiC 一维纳米材料的场发射性能研究 | 第70-78页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·不同形貌SiC 一维纳米材料的形貌和微观结构分析 | 第71-73页 |
| ·不同形貌SiC 一维纳米材料的场发射性能研究 | 第73-74页 |
| ·不同形貌SiC 一维纳米材料的场发射性能变化规律的机理研究 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及获奖目录 | 第89-90页 |
