| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 引言 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| ·宽禁带肖特基二极管器件的发展 | 第14-16页 |
| ·本论文的工作及内容安排 | 第16-20页 |
| 第二章 4H-SiC同质外延材料的检测 | 第20-27页 |
| ·4H-SiC同质外延层表面形貌测试 | 第20-21页 |
| ·SiC材料的基本特征 | 第21-27页 |
| ·SiC的晶体结构 | 第21-22页 |
| ·4H-SiC的能带宽度 | 第22-24页 |
| ·碰撞电离系数 | 第24-25页 |
| ·载流子的迁移率 | 第25-27页 |
| 第三章 高压4H-SiC肖特基势垒二极管的理论分析 | 第27-34页 |
| ·高压4H-SiC肖特基势垒二极管的反向伏安特性 | 第27页 |
| ·高压4H-SiC SBD的正向伏安特性分析 | 第27-34页 |
| ·高压4H-SiC SBD器件的正向导通压降 | 第28页 |
| ·高压4H-SiC SBD器件的肖特基势垒高度 | 第28-31页 |
| ·高压4H-SiC SBD的外延层和衬底的串联电阻 | 第31-32页 |
| ·高压4H-SiC SBD衬底与衬底面金属之间欧姆接触 | 第32-34页 |
| 第四章 4H-SiC功率肖特基二极管的工艺方案 | 第34-44页 |
| ·器件制备 | 第35-39页 |
| ·4H-SiC SBD器件的场板技术 | 第36页 |
| ·4H-SiC SBD器件的保护环技术 | 第36-38页 |
| ·4H-SiC半导体平面结腐蚀造型 | 第38页 |
| ·4H-SiC SBD结终端扩展技术 | 第38-39页 |
| ·4H-SiC半导体SBD结场限环技术 | 第39页 |
| ·测试与结果分析 | 第39-44页 |
| ·反向特性测试 | 第40-41页 |
| ·场板长度以及场氧化层厚度的影响 | 第41-42页 |
| ·注入外环(FLR)结构变化的影响 | 第42-44页 |
| 第五章 4H-SiC功率肖特基二极管的研制总结 | 第44-48页 |
| ·4H-SiC半导体材料制备方面取得的进展 | 第44-45页 |
| ·4H-SiC SBD器件制备方面取得的进展 | 第45-48页 |
| ·高压4H-SiC SBD器件用的结终端保护技术 | 第46页 |
| ·高压4H-SiC SBD器件制造工艺技术 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第52页 |
