摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-15页 |
插图索引 | 第15-17页 |
附表索引 | 第17-18页 |
第1章 绪论 | 第18-34页 |
·钙钛矿型氧化物简介 | 第18-21页 |
·钙钛矿型氧化物的结构特点 | 第18-19页 |
·钙钛矿型氧化物的种类 | 第19-21页 |
·单相多铁材料 | 第21-22页 |
·钙钛矿型氧化物中实现多铁的途径 | 第22-25页 |
·空位导致磁性产生 | 第22页 |
·掺杂导致磁性产生 | 第22-23页 |
·铁电/铁磁复合多铁材料 | 第23-25页 |
·钙钛矿型锰氧化物中的磁电性质 | 第25-29页 |
·金属-绝缘体相变 | 第27页 |
·磁序相变 | 第27-29页 |
·外场对钙钛矿型锰氧化物磁电性质的控制和调节 | 第29-32页 |
·本论文研究工作的意义、目的和内容 | 第32-34页 |
·本论文研究工作的意义、目的 | 第32-33页 |
·本论文研究工作的内容 | 第33-34页 |
第2章 理论基础和计算方法 | 第34-43页 |
·绝热近似 | 第34-35页 |
·单电子近似 | 第35页 |
·密度泛函理论 | 第35-37页 |
·Hohenberg-Kohn定理 | 第35-36页 |
·Kohn-Sham方程 | 第36-37页 |
·交换关联泛函 | 第37-39页 |
·局域密度近似(LDA) | 第37-38页 |
·广义梯度近似(GGA) | 第38页 |
·在位库仑修正(LDA+U方法) | 第38-39页 |
·赝势方法 | 第39-40页 |
·VASP程序包介绍 | 第40-43页 |
第3章 BaTiO_3薄膜中空位导致磁性的第一性原理研究 | 第43-56页 |
·引言 | 第43-44页 |
·计算方法和模型 | 第44-46页 |
·计算方法 | 第44-45页 |
·表面模型的建立 | 第45页 |
·空位形成能 | 第45-46页 |
·结果和讨论 | 第46-55页 |
·结构稳定性 | 第47-50页 |
·模型A:BaO终端表面的O空位模型 | 第50-52页 |
·模型B:TiO_2终端表面的O空位模型 | 第52-54页 |
·模型B:TiO_2终端表面的Ti空位模型 | 第54-55页 |
·本章小结 | 第55-56页 |
第4章 Co掺杂BaTiO_3电子结构和磁学性质的第一性原理研究 | 第56-65页 |
·引言 | 第56-57页 |
·计算方法与模型 | 第57-59页 |
·计算方法 | 第57页 |
·模型建立 | 第57-58页 |
·缺陷溶解能 | 第58-59页 |
·结果和讨论 | 第59-64页 |
·结构稳定性 | 第59-60页 |
·Co掺杂BaTiO_3 | 第60-62页 |
·氧空位的影响 | 第62-64页 |
·本章小结 | 第64-65页 |
第5章 多铁隧道结的临界尺寸和磁电耦合性质的第一性原理研究 | 第65-74页 |
·引言 | 第65-66页 |
·计算方法与模型 | 第66-68页 |
·计算方法 | 第66页 |
·模型建立 | 第66-68页 |
·结果和讨论 | 第68-73页 |
·多铁隧道结中铁电势垒BaTiO_3的临界尺寸 | 第68-70页 |
·多铁隧道结的磁学性质 | 第70-72页 |
·多铁隧道结的磁电耦合效应 | 第72-73页 |
·本章小结 | 第73-74页 |
第6章 锰氧化物超晶格(LaMnO_3/SrMnO_3)中单轴应变对电导的调节 | 第74-80页 |
·引言 | 第74页 |
·计算方法与模型 | 第74-76页 |
·计算方法 | 第74-75页 |
·模型建立 | 第75-76页 |
·结果和讨论 | 第76-79页 |
·磁序相变 | 第76-77页 |
·电导相变 | 第77-79页 |
·本章小结 | 第79-80页 |
第7章 锰氧化物超晶格(LaMnO_3/SrMnO_3)中剪切应变诱导低维电子传输 | 第80-88页 |
·引言 | 第80-81页 |
·计算方法与模型 | 第81-83页 |
·计算方法 | 第81-82页 |
·模型建立 | 第82-83页 |
·结果和讨论 | 第83-87页 |
·磁序相变 | 第83页 |
·电导相变 | 第83-87页 |
·本章小结 | 第87-88页 |
结论和展望 | 第88-91页 |
参考文献 | 第91-105页 |
致谢 | 第105-106页 |
附录A 攻读学位期间所发表和提交的学术论文目录 | 第106页 |