| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·Ti3SiC2的结构与制备方法 | 第13-16页 |
| ·自蔓延高温合成法(SHS) | 第14页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第14页 |
| ·无压烧结合成法 | 第14-15页 |
| ·热等静压烧结合成法(HIP) | 第15页 |
| ·热压烧结合成法(HP) | 第15-16页 |
| ·放电等离子烧结法(SPS 或 PDS) | 第16页 |
| ·电接触材料的研究现状 | 第16-20页 |
| ·摩擦磨损的机理及影响因素 | 第20-22页 |
| ·磨损性能的参量 | 第20-21页 |
| ·磨损机理 | 第21页 |
| ·影响磨损的因素 | 第21-22页 |
| ·梯度复合材料的研究进展 | 第22-23页 |
| ·粉末冶金法（PM） | 第22-23页 |
| ·激光熔覆法 | 第23页 |
| ·等离子喷涂法 | 第23页 |
| ·Cu-Ti3SiC2的应用前景 | 第23-24页 |
| ·本课题的研究目的、内容及意义 | 第24-25页 |
| ·研究目的与内容 | 第24-25页 |
| ·研究意义 | 第25页 |
| ·课题来源 | 第25-26页 |
| 第二章 Si 含量及双重坩埚对 Ti3SiC2纯度的影响 | 第26-32页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·实验材料及方法 | 第27-28页 |
| ·实验原材料 | 第27页 |
| ·实验方法 | 第27-28页 |
| ·实验结果及分析 | 第28-31页 |
| ·Si 含量对 Ti3SiC2纯度的影响 | 第28-29页 |
| ·密封性对 Ti3SiC2纯度的影响 | 第29-30页 |
| ·Ti3SiC2的显微组织 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 无压及复压复烧制备 Cu Ti3SiC2复合材料并研究其性能 | 第32-46页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·无压烧结制备 Cu-Ti3SiC2复合材料 | 第33-36页 |
| ·试样制备及其性能检测 | 第33-34页 |
| ·实验结果与分析 | 第34-36页 |
| ·复压烧结制备 Cu-Ti3SiC2复合材料 | 第36-44页 |
| ·实验材料及方法 | 第36-37页 |
| ·实验结果与分析 | 第37-44页 |
| ·结论 | 第44-46页 |
| 第四章 高速冲压制备 Cu Ti3SiC2复合材料及温压的影响 | 第46-58页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·实验设备、材料及方法 | 第47-49页 |
| ·实验设备 | 第47-48页 |
| ·实验材料和方法 | 第48-49页 |
| ·实验结果分析 | 第49-56页 |
| ·常温和温压压制的密度 | 第49-51页 |
| ·常温和温压下烧结后的硬度 | 第51-52页 |
| ·常温和温压下烧结后的电阻率 | 第52-53页 |
| ·温压烧结后试样的抗弯强度 | 第53-55页 |
| ·常温压制复合材料烧结后的显微组织 | 第55-56页 |
| ·结论 | 第56-58页 |
| 第五章 放电等离子烧结 Cu Ti3SiC2及其梯度复合材料 | 第58-76页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·实验设备、材料及方法 | 第59-61页 |
| ·实验设备 | 第59-60页 |
| ·实验材料 | 第60页 |
| ·实验方法 | 第60-61页 |
| ·实验结果与分析 | 第61-67页 |
| ·导电与力学性能分析 | 第61-63页 |
| ·显微组织 | 第63-64页 |
| ·摩擦磨损性能 | 第64-67页 |
| ·SPS 在 750℃制备 Cu-Ti3SiC2复合材料 | 第67-71页 |
| ·Cu-Ti3SiC2复合材料的密度和电阻率 | 第68-69页 |
| ·Cu-Ti3SiC2复合材料的硬度和抗弯强度 | 第69-71页 |
| ·梯度复合材料的制备 | 第71-74页 |
| ·双层复合材料 | 第71-73页 |
| ·三层梯度复合材料 | 第73-74页 |
| ·结论 | 第74-76页 |
| 结论 | 第76-80页 |
| 参考文献 | 第80-88页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 附件 | 第91页 |
