| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·半导体自旋电子学 | 第9-10页 |
| ·稀磁半导体 | 第10-14页 |
| ·稀磁半导体定义 | 第10页 |
| ·稀磁半导体研究意义 | 第10-11页 |
| ·磁性半导体研究进展 | 第11-12页 |
| ·稀磁半导体磁性起源 | 第12-14页 |
| ·本文工作 | 第14-16页 |
| 第二章 理论基础 | 第16-24页 |
| ·第一性原理计算方法简介 | 第16页 |
| ·密度泛函理论 | 第16-20页 |
| ·材料模拟软件 | 第20-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 第三章 ZnO 基稀磁半导体的研究 | 第24-34页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体研究进展 | 第24-27页 |
| ·ZnO 简介 | 第24-25页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体的特点和研究现状 | 第25页 |
| ·ZnO 电子结构的计算与分析 | 第25-27页 |
| ·单个 Co 掺杂 ZnO 的电子结构和磁性 | 第27-30页 |
| ·理论模型 | 第27-28页 |
| ·计算方法 | 第28页 |
| ·计算结果与分析 | 第28-30页 |
| ·两个 Co 掺杂 ZnO 的耦合 | 第30-33页 |
| ·模型构建 | 第30-31页 |
| ·计算方法 | 第31页 |
| ·计算结果与分析 | 第31-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第四章 缺陷对 Co-doped ZnO 的磁性影响 | 第34-52页 |
| ·氧空位的影响 | 第34-45页 |
| ·氧空位对单个 Co 原子的自旋极化的影响 | 第34-39页 |
| ·氧空位对 Co 原子耦合的影响 | 第39-45页 |
| ·锌间隙的影响 | 第45-51页 |
| ·模型构建 | 第45-46页 |
| ·计算结果与分析 | 第46-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第五章 全文结论和展望 | 第52-54页 |
| ·全文结论 | 第52页 |
| ·展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |