| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| ·本论文研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·光导开关的发展及研究现状 | 第8-9页 |
| ·光电导开关的应用 | 第9页 |
| ·光电导材料的种类 | 第9-10页 |
| ·光电导开关的基本结构 | 第10-11页 |
| ·光电导开关的两种工作模式 | 第11-13页 |
| ·光导开关的线性工作模式及其特性 | 第11-12页 |
| ·光导开关的非线性工作模式及其特性 | 第12-13页 |
| ·现有描述光电导开关非线性工作模式的理论模型 | 第13-16页 |
| ·本文主要研究内容 | 第16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 2 光电导开关的实验研究 | 第17-33页 |
| ·开关材料的选择 | 第17-18页 |
| ·光电导开关线性工作模式下实验研究 | 第18-23页 |
| ·光电导开关线性工作模式的实验结果 | 第20-21页 |
| ·光电导开关电极间隙及触发光源能量对输出特性的影响 | 第21-23页 |
| ·光电导开关非线性工作模式下的实验研究 | 第23-32页 |
| ·实验结果说明 | 第25-26页 |
| ·GaAs材料的转移电子效应 | 第26-28页 |
| ·强电场下半绝缘GaAs中畴的产生的必要条件 | 第28-30页 |
| ·GaAs光电导开关光电阈值附近实验结果说明 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 光电导开关丝状电流特性分析 | 第33-42页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·使用流注模型描述的气体的击穿 | 第33-34页 |
| ·半导体中的流注现象 | 第34-36页 |
| ·产生方法 | 第34-36页 |
| ·半导体发生流注放电的必要条件 | 第36页 |
| ·光电导开关中的流注模型 | 第36-39页 |
| ·光电导开关中的流注理论 | 第37-39页 |
| ·流注的发展 | 第39页 |
| ·丝状电流的传导特性 | 第39-40页 |
| ·基于流注模型的光电导开关的输出电流 | 第40-42页 |
| 4 丝状电流与光电导开关击穿特性分析 | 第42-50页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·光电导开关的击穿的类型和影响因素 | 第42-44页 |
| ·暗态条件下丝状电流对光电导开关的击穿 | 第44-45页 |
| ·丝状电流导致的开关的完全击穿 | 第45-47页 |
| ·丝状电流击穿的路径选择特性 | 第45页 |
| ·光电导开关热击穿特性 | 第45-47页 |
| ·丝状电流与开关的不完全击穿现象 | 第47-48页 |
| ·多光纤耦合诱导多丝放电实验设计 | 第48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 5 结论与后续工作展望 | 第50-51页 |
| ·结论 | 第50页 |
| ·后续工作展望 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 附录 | 第56页 |