| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| ·研究意义 | 第9-11页 |
| ·硅基纳米材料的制备方法 | 第11-13页 |
| ·本工作主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第2章 实验原理及技术 | 第14-22页 |
| ·实验技术 | 第14-16页 |
| ·磁控溅射沉积原理及特点 | 第14-15页 |
| ·磁控溅射沉积实验装置 | 第15-16页 |
| ·基片的清洗 | 第16页 |
| ·薄膜的形貌和结构分析技术 | 第16-20页 |
| ·傅立叶变换红外吸收谱(FTIR) | 第16-17页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第17页 |
| ·电子散射能谱(EDS) | 第17-18页 |
| ·Raman光谱 | 第18页 |
| ·紫外-可见透射反射谱(UV-VIS Transmission and Reflection) | 第18-20页 |
| ·光致发光和荧光激发谱技术 | 第20-22页 |
| 第3章 纳米SiN:H薄膜的微观结构及其光学特性 | 第22-36页 |
| ·SiN:H样品制备条件 | 第22页 |
| ·氢气流量对薄膜结构和光学特性的影响 | 第22-30页 |
| ·薄膜的沉积速率 | 第22-23页 |
| ·电子散射能谱分析 | 第23-24页 |
| ·红外表征 | 第24-25页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第25-26页 |
| ·AFM形貌分析 | 第26页 |
| ·光学特性分析 | 第26-28页 |
| ·光致发光分析 | 第28-30页 |
| ·衬底温度对纳米SiN:H薄膜微观结构及光学特性的影响 | 第30-34页 |
| ·薄膜的红外谱分析 | 第30-32页 |
| ·薄膜的AFM形貌分析 | 第32-33页 |
| ·光学吸收特性 | 第33-34页 |
| ·本章小节 | 第34-36页 |
| 第4章 a-Si:H/SiN:H多层薄膜结构设计 | 第36-43页 |
| ·多层膜的制备 | 第36页 |
| ·紫外-可见吸收谱分析 | 第36-37页 |
| ·AFM分析 | 第37-38页 |
| ·FTIR分析 | 第38-39页 |
| ·拉曼分析 | 第39-40页 |
| ·光致发光分析 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第5章 结束语 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 致谢 | 第48页 |