第1章 绪论 | 第1-12页 |
第2章 硫增感产物与潜影的形成 | 第12-22页 |
·潜影的形成机理和影响因素 | 第12-17页 |
·潜影的作用 | 第12页 |
·潜影形成的Gurney and Mott理论 | 第12-14页 |
·潜影形成的光电过程 | 第14页 |
·增加潜影形成效率的方法 | 第14-15页 |
·电子陷阱效应与潜影的形成 | 第15页 |
·潜影形成与颗粒表面的关系 | 第15-17页 |
·硫增感的形成机理和影响因素 | 第17-22页 |
·化学增感中的硫增感 | 第17页 |
·硫增感中心的形成过程 | 第17-18页 |
·硫增感中心的分布及变化 | 第18页 |
·硫化银形成的动力学 | 第18-19页 |
·硫增感的陷阱效应 | 第19-21页 |
·影响硫增感的因素 | 第21-22页 |
第3章 光电子瞬态行为的检测 | 第22-30页 |
·光电子瞬态行为检测原理 | 第22-26页 |
·光电子瞬态行为的测量方法 | 第22-23页 |
·检测卤化银中光电子瞬态行为的技术要求 | 第23页 |
·介电谱的检测原理 | 第23-25页 |
·微波吸收介电检测装置 | 第25-26页 |
·光电子信号特点 | 第26-30页 |
·光电子的产生与衰减 | 第26-27页 |
·浅束缚光电子的生成与衰减 | 第27-29页 |
·自由光电子与浅束缚光电子的关系 | 第29-30页 |
第4章 增感条件变化时光电子衰减行为及特性 | 第30-42页 |
·不同增感条件下自由光电子的衰减行为 | 第30-33页 |
·增感时间变化时自由光电子衰减行为规律 | 第30-32页 |
·增感浓度变化时自由光电子衰减行为规律 | 第32页 |
·增感温度变化时自由光电子衰减行为规律 | 第32-33页 |
·增感条件不同时的电子陷阱效应 | 第33-37页 |
·增感时间变化时陷阱效应的变化 | 第33-35页 |
·增感浓度变化时的陷阱效应变化 | 第35-36页 |
·增感温度变化时的陷阱效应变化 | 第36-37页 |
·浅束缚光电子衰减行为 | 第37-40页 |
·增感时间变化时浅束缚光电子衰减规律 | 第37-39页 |
·增感浓度变化时浅束缚光电子衰减规律 | 第39页 |
·增感温度变化时浅束缚光电子衰减规律 | 第39-40页 |
·硫增感反应中增感时间、增感浓度和增感温度间的关系 | 第40-41页 |
·小结 | 第41-42页 |
第5章 乳剂类型不同时硫增感卤化银的光电子衰减行为 | 第42-48页 |
·三种基本乳剂的自由光电子与浅束缚光电子衰减特性 | 第42-43页 |
·三种不同卤化银硫增感后的自由光电子衰减特性 | 第43-45页 |
·三种不同卤化银硫增感后浅束缚光电子衰减的特性 | 第45-47页 |
·小结 | 第47-48页 |
第6章 结束语 | 第48-50页 |
参考文献 | 第50-53页 |