| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 1 绪论 | 第12-33页 |
| ·铁电体及其基本性质 | 第12-16页 |
| ·自发极化 | 第12-13页 |
| ·电滞回线 | 第13-15页 |
| ·居里－外斯定律 | 第15-16页 |
| ·铁电体分类 | 第16-17页 |
| ·铁电薄膜材料及发展概况 | 第17-22页 |
| ·铁电薄膜简介 | 第17-19页 |
| ·铁电薄膜的制备技术 | 第19-22页 |
| ·铁电薄膜材料在存储器中的应用 | 第22-32页 |
| ·铁电存储器简介 | 第22-26页 |
| ·铁电存储器用铁电薄膜须待解决的问题 | 第26-28页 |
| ·铁电存储器用薄膜材料研究进展 | 第28-29页 |
| ·Bi_4Ti_3O_(12) 基铁电薄膜材料 | 第29-32页 |
| ·本文的研究目的和主要内容 | 第32-33页 |
| 2 Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备与分析测试方法 | 第33-42页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·铁电薄膜的制备 | 第33-38页 |
| ·仪器设备 | 第33页 |
| ·原料选择 | 第33-34页 |
| ·衬底的选择和制备 | 第34-35页 |
| ·前驱体溶液的配置 | 第35页 |
| ·薄膜的制备 | 第35-37页 |
| ·上电极的制备 | 第37-38页 |
| ·薄膜的表征和性能测试 | 第38-40页 |
| ·X-射线衍射分析 | 第38页 |
| ·场发射扫描电子显微镜 | 第38-39页 |
| ·电滞回线的测试 | 第39页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第39-40页 |
| ·Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) 薄膜的Raman 光谱分析 | 第40-42页 |
| 3 前驱体溶液浓度对Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜晶粒形貌和取向的影响 | 第42-55页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·使用不同浓度前驱体溶液制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) 铁电薄膜及其表征 | 第42-49页 |
| ·X-射线衍射分析 | 第43-45页 |
| ·表面与截面形貌观察 | 第45-47页 |
| ·电滞回线测试 | 第47-49页 |
| ·前驱体溶液浓度对Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) 薄膜晶粒形貌和取向的影响 | 第49-53页 |
| ·关于晶粒形貌和取向的讨论 | 第49-51页 |
| ·Nd 掺杂对Bi_4Ti_3O_(12) 薄膜极化的影响的讨论 | 第51-53页 |
| ·本章小节 | 第53-55页 |
| 4 退火条件对 Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) 铁电薄膜晶粒形貌和取向的影响 | 第55-68页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·在不同退火条件下制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) 铁电薄膜及其表征 | 第55-59页 |
| ·薄膜截面形貌观察 | 第55-56页 |
| ·X-射线衍射分析 | 第56-58页 |
| ·电滞回线测试 | 第58-59页 |
| ·退火条件对Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) 薄膜晶粒形貌与取向的影响 | 第59-66页 |
| ·关于晶粒形貌的讨论 | 第59-61页 |
| ·关于晶粒取向的讨论 | 第61-65页 |
| ·BNT 薄膜微观结构与其铁电性能的讨论 | 第65-66页 |
| ·本章小节 | 第66-68页 |
| 5 TiO_2 种子层对 Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜晶粒形貌和取向影响 | 第68-77页 |
| ·引言 | 第68-69页 |
| ·TiO_2 种子层的制备 | 第69页 |
| ·使用TiO_2 种子层制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) 薄膜及其表征 | 第69-72页 |
| ·X-射线衍射分析 | 第69-70页 |
| ·薄膜截面形貌观察 | 第70-71页 |
| ·电滞回线测试 | 第71-72页 |
| ·TiO_2 种子层对Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) 薄膜晶粒形貌与取向的影响 | 第72-75页 |
| ·TiO_2 与BIT 的外延关系 | 第72-73页 |
| ·TiO_2 种子层上生长的BNT 薄膜的截面形貌 | 第73-74页 |
| ·TiO_2 种子层上生长的BNT 薄膜的晶粒取向 | 第74-75页 |
| ·TiO_2 种子层上生长的BNT 薄膜的电滞回线 | 第75页 |
| ·本章小节 | 第75-77页 |
| 6 反铁电耦合的双层膜和超晶格系统的电滞回线及其尺寸驱动相变行为 | 第77-92页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·反铁电耦合的双层膜和相应的超晶格系统的Euler 方程 | 第78-82页 |
| ·反铁电耦合的双层膜和相应的超晶格系统的自由能密度 | 第78-80页 |
| ·反铁电耦合的双层膜和超晶格系统的Euler-Lagrange 方程 | 第80-82页 |
| ·反铁电耦合的双层膜和超晶格的电滞回线 | 第82-85页 |
| ·组分膜厚度比对电滞回线形状的影响 | 第82-83页 |
| ·反铁电耦合常数χ对电滞回线形状的影响 | 第83页 |
| ·外推参数η(δ) 对电滞回线形状的影响 | 第83-84页 |
| ·双层膜总厚度或超晶格周期对电滞回线形状的影响 | 第84-85页 |
| ·无外场情况下的双层膜和相应超晶格系统的尺寸驱动相变行为 | 第85-90页 |
| ·无外场情况下单层膜的尺寸驱动相变行为 | 第85-88页 |
| ·无外场情况下双层膜和相应超晶格系统的尺寸驱动相变行为 | 第88-90页 |
| ·本章小节 | 第90-92页 |
| 7 全文总结 | 第92-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-114页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表和待发表的论文目录 | 第114-116页 |
| 附录2 已授权和申请中的专利 | 第116页 |
