Si3N4和BN介电性质的第一原理计算
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·Si-B-O-N材料介电性能研究背景 | 第8-10页 |
| ·第一性原理计算方法概述 | 第10-12页 |
| ·Si-B-O-N材料的第一原理研究现状 | 第12-13页 |
| ·本文研究目的与内容 | 第13-14页 |
| ·研究目的 | 第13页 |
| ·研究力容 | 第13-14页 |
| 第二章 基础理论与计算方法 | 第14-30页 |
| ·晶格动力学基础 | 第14-18页 |
| ·绝热近似 | 第14-15页 |
| ·晶格动力学 | 第15-17页 |
| ·声子对称性分类 | 第17-18页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-23页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第18-19页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第19-22页 |
| ·LDA与GGA | 第22-23页 |
| ·赝势 | 第23页 |
| ·密度泛函微扰理论 | 第23-29页 |
| ·从Hessen矩阵到DFPT | 第24-25页 |
| ·原子位移扰动与电场扰动 | 第25-26页 |
| ·波恩有效电荷 | 第26页 |
| ·低频介电张量 | 第26-28页 |
| ·LO/TO频率分裂 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 B-SI_N_4介电性质第一原理计算 | 第30-43页 |
| ·结构优化 | 第30-32页 |
| ·声子频率计算 | 第32-35页 |
| ·-1 β-Si_3N_4的晶体对称性群论分析 | 第32-33页 |
| ·-2 β-Si_3N_4声子计算 | 第33-35页 |
| ·波恩有效电荷和模有效电荷 | 第35-37页 |
| ·低频介电张量与红外反射光谱 | 第37-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第四章 BN介电性质第一原理计算 | 第43-59页 |
| ·BN晶体的结构优化 | 第43-45页 |
| ·声子频率计算 | 第45-47页 |
| ·-1 BN的晶体对称性群论分析 | 第45-47页 |
| ·-2 BN的声子计算 | 第47页 |
| ·波恩有效电荷和模有效电荷 | 第47-49页 |
| ·低频介电张量与红外反射光谱 | 第49-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-60页 |
| 进一步的工作与建议 | 第60-61页 |
| 参考文献: | 第61-66页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
