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直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜硬质合金刀具制备工艺研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第1章 前言第11-26页
   ·金刚石薄膜的结构、性质及应用第11-17页
     ·金刚石薄膜的结构第11-12页
     ·金刚石薄膜的性质第12-13页
     ·金刚石薄膜的应用第13-17页
       ·器件热沉和封装材料第13-14页
       ·工具领域第14-15页
       ·光学领域第15-16页
       ·电子应用领域第16-17页
   ·CVD金刚石薄膜的制备方法第17-20页
   ·CVD金刚石薄膜硬质合金刀具研究背景第20-22页
   ·本工作的研究目标、研究内容以及研究意义第22-23页
     ·研究内容第22-23页
     ·研究意义第23页
   ·项目来源及工作量第23-24页
   ·研究技术路线图第24-26页
第2章 直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜生长的基本原理第26-35页
   ·等离子体的基本知识第26-27页
     ·等离子体的概念第26页
     ·等离子体的产生方法第26-27页
   ·直流弧光放电等离子体的形成原理第27-28页
     ·气体放电第27-28页
     ·Ar+H_2+CH_4体系中的弧光放电第28页
   ·直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜的沉积原理第28-33页
     ·直流弧光放电等离子体CVD装置第28-30页
     ·低压化学气相沉积金刚石薄膜的生长机理第30-33页
       ·低压化学气相沉积金刚石薄膜的条件第31页
       ·金刚石形核第31-32页
       ·亚稳态生长第32-33页
   ·金刚石薄膜硬质合金刀具性能的表征方法第33-35页
第3章 基于YG6硬质合金基体的气体工艺参数与低压气相金刚石薄膜的关系第35-54页
   ·引言第35-36页
   ·实验第36-37页
     ·金刚石薄膜的合成条件第36页
     ·试验方案第36-37页
   ·试验结果第37-49页
     ·[CH_4]/[H_2]比率对金刚石薄膜的影响第37-45页
       ·[CH_4]/[H_2]比率下直流弧光放电等离子体的特征第37-38页
       ·不同甲烷浓度下制备的金刚石薄膜的显微结构分析第38-42页
       ·不同甲烷浓度下制备的金刚石颗粒的晶体形态分析第42-43页
       ·不同甲烷浓度下制备的金刚石薄膜试样的压痕观察分析第43-45页
     ·Ar流量对金刚石薄膜的影响第45-49页
       ·不同Ar流量下直流弧光放电等离子体的特征第46-48页
       ·不同Ar流量下制备的金刚石薄膜的显微结构分析第48-49页
   ·讨论第49-52页
     ·CVD金刚石薄膜的表面形貌第49页
     ·气体工艺参数对金刚石晶粒的影响第49-51页
     ·气体工艺参数对金刚石薄膜的影响第51-52页
   ·本章小节第52-54页
第4章 基于YG6硬质合金基体的物理工艺参数与低压气相金刚石薄膜的关系第54-66页
   ·引言第54-58页
     ·CVD装置测温技术现状第54-57页
       ·双热电偶测量技术第54-55页
       ·单热电偶测温技术第55-56页
       ·双热电偶校温技术第56-57页
     ·基片温度对CVD金刚石薄膜沉积的影响:第57页
     ·沉积压力对金刚石薄膜沉积的影响:第57-58页
   ·实验第58-59页
     ·金刚石薄膜的合成条件第58页
     ·实验方案:第58-59页
   ·实验结果第59-63页
     ·不同沉积压力对金刚石薄膜的影响第59-61页
       ·不同沉积压力下制备的金刚石薄膜的显微结构第59-60页
       ·不同沉积压力下制备的金刚石薄膜刀具的膜基性能分析第60-61页
     ·不同基体冷却水流量对金刚石薄膜的影响第61-63页
       ·不同基体冷却水流量下制备的金刚石薄膜的显微结构第61-63页
   ·讨论第63-65页
     ·沉积温度的影响第63-64页
     ·沉积压力的影响第64-65页
   ·本章小结第65-66页
第5章 基于精磨YG6硬质合金基体的电化学两步预处理工艺研究第66-76页
   ·引言第66-67页
   ·实验第67页
   ·实验结果与讨论第67-75页
     ·经不同电化学处理后精磨YG6硬质合金基体的表面组织与物相分析第67-70页
     ·电化学两步法腐蚀工艺对精磨YG6硬质合金基体的影响第70-73页
     ·电化学预处理工艺对精磨YG6金刚石涂层刀具性能的影响第73-75页
   ·本章小结第75-76页
结论第76-78页
致谢第78-79页
参考文献第79-86页

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