MgB2超导多层膜间临界厚度研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-15页 |
| 第一章 MgB_2超导体的发展现状与研究成果 | 第15-23页 |
| 引言 | 第15页 |
| ·MgB_2的晶体结构 | 第15-16页 |
| ·MgB_2的能带结构 | 第16页 |
| ·MgB_2超导体中的超导机制 | 第16-17页 |
| ·MgB_2超导体的热力学性质 | 第17-18页 |
| ·热电势 | 第17-18页 |
| ·热导率 | 第18页 |
| ·比热与热膨胀 | 第18页 |
| ·MgB_2的掺杂和同位素效应 | 第18-19页 |
| ·MgB_2中的双能隙结构 | 第19-20页 |
| ·MgB_2的磁通动力学 | 第20-21页 |
| ·MgB_2的临界电流密度 | 第21-22页 |
| 本章小结 | 第22-23页 |
| 第二章 MgB_2的SSeS结超导电流位相关系 | 第23-37页 |
| 引言 | 第23页 |
| ·自由能与G—L方程 | 第23-26页 |
| ·SSeS结基本方程 | 第26-28页 |
| ·一维情况下方程的解 | 第28-33页 |
| ·结的电流密度与位相之间的关系 | 第33-36页 |
| 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 MgB_2超导SSeS结的临界厚度 | 第37-44页 |
| 引言 | 第37页 |
| ·基本方程 | 第37-38页 |
| ·MgB_2 SSeS超导结的临界厚度 | 第38-41页 |
| ·结果讨论 | 第41-43页 |
| 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 MgB_2超导多层(双层)膜的制备探索 | 第44-57页 |
| ·MgB_2超导电性研究 | 第44-50页 |
| ·MgB_2超导电性概论 | 第44-45页 |
| ·MgB_2的电子能带结构 | 第45-49页 |
| ·紧束缚近似计算结果 | 第49-50页 |
| ·MgB_2超导单层薄的制备与测量 | 第50-53页 |
| ·MgB_2成核机制 | 第50页 |
| ·MgB_2晶体生长机理 | 第50-51页 |
| ·MgB_2超导单层膜的制备和测量 | 第51-53页 |
| ·MgB_2超导多层薄的制备探索 | 第53-56页 |
| ·制备仪器 | 第53页 |
| ·制备衬底的选择 | 第53-55页 |
| ·制备超导多层膜的原理图 | 第55-56页 |
| 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章：结果讨论与后续工作 | 第57-59页 |
| ·结果讨论 | 第57-58页 |
| ·后续工作 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考书目 | 第60-64页 |
| 附录:发表文章以及参加课题 | 第64-65页 |
| 原创性声明 | 第65页 |
| 使用授权的声明 | 第65页 |
