低电压低功耗CMOS集成运放的研究与设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| ·CMOS 模拟集成电路的背景和重要性 | 第10-11页 |
| ·低功耗集成电路设计动因 | 第11-12页 |
| ·低电压低功耗设计的限制因素 | 第12页 |
| ·低电压低功耗运算放大器 | 第12-13页 |
| ·结论 | 第13页 |
| ·本文结构安排 | 第13-14页 |
| 第2章 CMOS 器件模型与工作特性 | 第14-22页 |
| ·简单的 MOS 大信号模型 | 第14-18页 |
| ·MOSFET 的I/V 特性 | 第15-17页 |
| ·二级效应 | 第17-18页 |
| ·MOS 管大信号模型的其他参数 | 第18-19页 |
| ·MOS 管的小信号模型 | 第19-21页 |
| ·结论 | 第21-22页 |
| 第3章 低电压低功耗模拟IC 设计技术简介 | 第22-33页 |
| ·CMOS 电路的功耗来源 | 第22-23页 |
| ·电压降低的极限 | 第23页 |
| ·低电压低功耗模拟 IC 的设计技术 | 第23-32页 |
| ·弱反型区/亚阈区电路 | 第23-24页 |
| ·电平移位电路 | 第24-25页 |
| ·衬底驱动电路 | 第25-28页 |
| ·准浮栅技术 | 第28-30页 |
| ·自举共源共栅电路 | 第30-31页 |
| ·电流模式电路 | 第31-32页 |
| ·结论 | 第32-33页 |
| 第4章 低电压低功耗运算放大器的设计 | 第33-72页 |
| ·运算放大器概述 | 第33-35页 |
| ·低电压低功耗运算放大器设计 | 第35-71页 |
| ·设计指标 | 第35页 |
| ·输入级设计 | 第35-40页 |
| ·折叠式共源共栅中间放大级 | 第40-61页 |
| ·输出放大器设计 | 第61-63页 |
| ·频率补偿电路设计 | 第63-71页 |
| ·结论 | 第71-72页 |
| 第5章 运算放大器的仿真 | 第72-77页 |
| ·运放直流传输特性分析 | 第72页 |
| ·运放输入和输出共模电压范围分析 | 第72-73页 |
| ·运放交流小信号分析 | 第73-74页 |
| ·运放静态功耗分析 | 第74页 |
| ·运放转换速率和建立时间分析 | 第74-75页 |
| ·运放共模抑制比分析 | 第75页 |
| ·运放电源抑制比分析 | 第75-76页 |
| ·结论 | 第76-77页 |
| 结论 | 第77-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第83-84页 |
| 附录B 元件库参数 | 第84-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
