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高自旋极化氧化物的逾渗增强磁电阻效应

第一章 绪论第1-25页
 1. 高自旋极化物的简介第11-13页
 2. 磁电阻效应和自旋电子学第13-16页
 3. 高自旋极化氧化物的颗粒边界磁电阻第16-19页
 4. 磁电阻的网络模型和网络效应第19-21页
 5. 本文的主要工作第21-22页
 参考文献第22-25页
第二章 自旋极化输运网络的模拟算法第25-35页
 1. RNN算法回顾第26-30页
 2. 我们的算法第30-34页
 参考文献第34-35页
第三章 普通二元渗流网络和宽分布内禀渗流网络的磁输运行为第35-44页
 1. 二元无规电阻网络磁电阻的逾渗增强第35-38页
 2. 宽分布电阻网络的内禀逾渗网络的磁输运行为第38-42页
 3. 总结第42页
 参考文献第42-44页
第四章 多机制宽分布网络的自优化行为第44-57页
 1. Sheng模型第44-46页
 2. 隧道结的输运性质第46-47页
 3. 多机制宽分布网络模型第47-54页
 4. 总结第54-55页
 参考文献第55-57页
第五章 分离型隧穿机制下的逾渗增强磁电阻效应第57-65页
 1. STPM模型第57-60页
 2. 自旋极化输运的STPM模型第60-61页
 3. 模拟结果和讨论第61-63页
 4. 总结第63-64页
 参考文献第64-65页
完成论文目录第65-66页
致谢第66-67页
详细摘要第67-70页

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