摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-8页 |
1 前言 | 第8-15页 |
·ADC的功能 | 第8页 |
·ADC主要结构 | 第8-11页 |
·全并行结构(Flash) | 第9页 |
·分级型结构(Subranging) | 第9页 |
·流水线型结构(Pipeline) | 第9-10页 |
·折叠插值型结构(Folding and Interpolating) | 第10页 |
·Σ-△型结构 | 第10页 |
·逐次逼近型结构(Successive Approximation) | 第10-11页 |
·ADC的精度 | 第11-13页 |
·相关参数 | 第11-13页 |
·ADC的精度 | 第13页 |
·本论文的工作 | 第13-15页 |
2 电荷再分配SAR ADC算法的优化 | 第15-25页 |
·优化的必要性 | 第15页 |
·电荷再分配DAC基本结构 | 第15-16页 |
·电荷再分配DAC级联结构 | 第16-17页 |
·级间耦合电容值的优化设计 | 第17-20页 |
·优化设计方法 | 第17-19页 |
·分析讨论 | 第19-20页 |
·电荷再分配SAR ADC工作原理 | 第20-21页 |
·应用验证 | 第21-24页 |
·核心电路参数及版图设计 | 第21-22页 |
·仿真结果及分析 | 第22-24页 |
·本章小结 | 第24-25页 |
3 高精度比较器设计 | 第25-49页 |
·比较器基本原理 | 第25-27页 |
·比较器的基本功能 | 第25页 |
·比较器的精度 | 第25页 |
·比较器的速度 | 第25-26页 |
·比较器的传输特性 | 第26-27页 |
·整体结构设计及失调消除技术 | 第27-30页 |
·电路设计 | 第30-40页 |
·前置放大器的设计 | 第30-33页 |
·增益级的设计 | 第33-38页 |
·锁存器级的设计 | 第38-40页 |
·噪声分析 | 第40-44页 |
·噪声源 | 第40-41页 |
·双极型晶体管的噪声模型 | 第41-42页 |
·MOS晶体管的噪声模型 | 第42-43页 |
·比较器噪声分析 | 第43-44页 |
·仿真结果 | 第44-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
4 电容误差来源分析及版图优化设计 | 第49-53页 |
·系统误差 | 第49-51页 |
·光刻引起的周长比例不匹配 | 第49-50页 |
·刻蚀率不同引起的不匹配 | 第50页 |
·引线电容的不匹配 | 第50-51页 |
·外引线的寄生电容 | 第51页 |
·随机误差 | 第51页 |
·电容版图设计 | 第51-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
5 自校准技术 | 第53-64页 |
·电容匹配误差分析及校准 | 第53-58页 |
·误差分析 | 第54-56页 |
·误差量的确定 | 第56-58页 |
·耦合电容误差分析及校准 | 第58-60页 |
·误差分析 | 第58-59页 |
·误差量的确定 | 第59-60页 |
·校准电路设计 | 第60-63页 |
·本章小结 | 第63-64页 |
6 测试 | 第64-65页 |
总结 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-70页 |
声明 | 第70-71页 |
附录 | 第71-72页 |
致谢 | 第72页 |