合成孔径雷达高速固态数据存储器研究
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
第一章 引言 | 第9-16页 |
1.1 合成孔径雷达简介 | 第9-10页 |
1.2 合成孔径雷达的发展过程 | 第10-12页 |
1.3 我国合成孔径雷达发展过程及现状 | 第12-13页 |
1.4 本论文的主要内容 | 第13-14页 |
1.5 本论文的创新点及贡献 | 第14-16页 |
第二章 数据存储技术 | 第16-38页 |
2.1 磁记录技术 | 第16-27页 |
2.1.1 磁带机和磁带库 | 第16-21页 |
2.1.2 磁盘和磁盘阵列技术 | 第21-27页 |
2.2 光记录技术 | 第27-30页 |
2.2.1 光记录技术的特点 | 第27页 |
2.2.2 光盘库和光盘塔 | 第27-30页 |
2.3 半导体记录技术 | 第30-33页 |
2.3.1 半导体记录技术的发展 | 第30-31页 |
2.3.2 半导体记录技术的特点 | 第31页 |
2.3.3 半导体记录技术的关键技术 | 第31-33页 |
2.4 两栖(MO)记录技术 | 第33-34页 |
2.5 数据记录技术的发展过程及现状 | 第34-37页 |
2.5.1 磁记录技术的发展 | 第34-36页 |
2.5.2 固态数据记录技术发展 | 第36-37页 |
2.5.3 磁盘与光盘 | 第37页 |
2.6 数据记录技术的发展趋势 | 第37-38页 |
第三章 闪存芯片 | 第38-57页 |
3.1 闪存芯片的特点 | 第38页 |
3.2 闪存芯片的分类 | 第38-44页 |
3.2.1 NOR技术 | 第38-39页 |
3.2.2 DINOR技术 | 第39-40页 |
3.2.3 NAND技术 | 第40-42页 |
3.2.4 UltraNAND技术 | 第42页 |
3.2.5 AND技术 | 第42-43页 |
3.2.6 由EEPROM派生的闪速存储器 | 第43-44页 |
3.3 不同类型的闪存芯片的比较 | 第44-46页 |
3.4 NAND型闪存芯片K9W8G08U1M | 第46-57页 |
3.4.1 芯片的组成结构及功能 | 第47-50页 |
3.4.2 芯片的各项具体命令 | 第50-57页 |
第四章 高速固态数据存储器原理 | 第57-61页 |
4.1 传统固态数据存储器原理 | 第57-58页 |
4.2 本文提出的高速固态数据存储器原理 | 第58-61页 |
4.2.1 并行操作 | 第58-59页 |
4.2.2 流水操作 | 第59-61页 |
第五章 高速固态数据存储器系统设计 | 第61-82页 |
5.1 高速固态数据存储器的设计要求 | 第61页 |
5.2 高速固态数据存储器的系统构成 | 第61-63页 |
5.3 接口模块 | 第63-65页 |
5.3.1 LVDS接口电路特点 | 第64页 |
5.3.2 LVDS接口电路硬件设计 | 第64-65页 |
5.4 缓冲模块 | 第65-67页 |
5.4.1 缓冲模块硬件设计 | 第65-66页 |
5.4.2 乒乓操作的实现与过程 | 第66-67页 |
5.5 控制模块 | 第67-73页 |
5.5.1 控制模块组成 | 第68-69页 |
5.5.2 控制模块程序设计 | 第69-71页 |
5.5.3 控制模块程序流程设计的技巧 | 第71页 |
5.5.4 仿真结果 | 第71-73页 |
5.6 数据存储模块 | 第73-74页 |
5.7 数据备份模块 | 第74页 |
5.8 数据验证模块 | 第74-80页 |
5.8.1 写数据操作验证流程 | 第77-78页 |
5.8.2 读数据操作验证流程 | 第78-79页 |
5.8.3 块擦除操作验证流程 | 第79-80页 |
5.9 其它电路 | 第80-82页 |
第六章 高速固态数据存储器的可扩展性 | 第82-86页 |
6.1 系统的可扩展性 | 第82页 |
6.2 扩展方案的结构框图 | 第82-83页 |
6.3 底板 | 第83-84页 |
6.4 存储板 | 第84页 |
6.5 扩展方案的优点 | 第84-86页 |
第七章 结束语 | 第86-88页 |
参考文献 | 第88-91页 |
作者攻读硕士学位期间发表的主要论文 | 第91-92页 |
致谢 | 第92-93页 |
附录一 | 第93-94页 |
附录二 | 第94页 |