| 第一章 绪论 | 第1-36页 |
| ·等离子体在微电子工业中的应用 | 第9-10页 |
| ·感应耦合等离子体(ICP)原理及其特点 | 第10-13页 |
| ·ICP 的原理 | 第10-13页 |
| ·ICP 的特点 | 第13页 |
| ·研究背景 | 第13-25页 |
| ·碳氟等离子体中的刻蚀 | 第14-19页 |
| ·碳氟薄膜的沉积 | 第19-22页 |
| ·碳氟等离子体的空间行为 | 第22-25页 |
| ·本文研究内容 | 第25-30页 |
| ·讨论 | 第25-28页 |
| ·本文研究内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-36页 |
| 第二章 ICP 碳氟等离子体诊断,碳氟薄膜结构和性能表征 | 第36-60页 |
| ·ICP 装置简介 | 第36-37页 |
| ·ICP 碳氟等离子体诊断方法 | 第37-46页 |
| ·朗谬尔探针 | 第37-41页 |
| ·发射光谱 | 第41-44页 |
| ·四极质谱仪 | 第44-46页 |
| ·样品的制备 | 第46页 |
| ·碳氟薄膜的结构和性能表征 | 第46-58页 |
| ·台阶仪和阻抗分析仪 | 第46页 |
| ·傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR) | 第46-53页 |
| ·紫外-可见光透射光谱(UV-VIS) | 第53-55页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第三章 ICP 等离子体的放电行为 | 第60-75页 |
| ·实用朗谬尔探针的几点考虑 | 第60页 |
| ·ICP Ar 等离子体的性质 | 第60-63页 |
| ·ICP Ar/CF等离子体的放电行为 | 第63-65页 |
| ·ICP CF4等离子体的性质 | 第65-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第四章 ICP 碳氟等离子体中若干基团的行为 | 第75-96页 |
| ·等离子体中发射光谱谱线的确认 | 第75-77页 |
| ·时间效应对碳氟等离子体基团行为的影响 | 第77-78页 |
| ·碳氟等离子体中若干基团的行为 | 第78-94页 |
| ·CF 基团 | 第78-83页 |
| ·C_2基团 | 第83-90页 |
| ·H_2稀释时的碳氟等离子体行为 | 第90-92页 |
| ·其它基团 | 第92-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-96页 |
| 第五章 碳氟薄膜的结构、性质及其生长机理 | 第96-118页 |
| ·碳氟薄膜的结构与性质 | 第96-108页 |
| ·碳氟薄膜的红外光谱分析 | 第96-99页 |
| ·碳氟薄膜的XPS光谱分析 | 第99-100页 |
| ·碳氟薄膜的电学性质 | 第100-101页 |
| ·碳氟薄膜的光学性质 | 第101-108页 |
| ·碳氟薄膜的生长机理 | 第108-115页 |
| ·本章小结 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-118页 |
| 第六章 结论 | 第118-120页 |
| ·结论 | 第118-120页 |
| 创新性说明 | 第120-121页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第121-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
| 详细摘要 | 第123-132页 |