| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-28页 |
| §1.1 引言 | 第9-10页 |
| §1.2 DWDM技术的历史与未来 | 第10-13页 |
| §1.3 光波分复用／解复用器的发展现状 | 第13-18页 |
| §1.3.1 多层介质薄膜波分复用器件MDTFF | 第14-15页 |
| §1.3.2 光纤布拉格光栅FBG型波分复用器件 | 第15-16页 |
| §1.3.3 阵列波导光栅AWG型波分复用器件 | 第16-18页 |
| §1.4 平面光波导技术的主要材料 | 第18-23页 |
| §1.4.1 二氧化硅材料(Silica) | 第18-19页 |
| §1.4.2 铌酸锂材料(LiNbO_3) | 第19-20页 |
| §1.4.3 Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物材料 | 第20页 |
| §1.4.4 聚合物材料(Polymer) | 第20页 |
| §1.4.5 绝缘体上的硅材料(SOI) | 第20-23页 |
| §1.5 本文的工作 | 第23-28页 |
| §1.5.1 本文的意义 | 第23页 |
| §1.5.2 其余章节内容安排 | 第23-28页 |
| 第二章 SOI脊型波导及集成波导转弯微镜 | 第28-42页 |
| §2.1 脊型波导单模条件及有效折射率的计算 | 第28-31页 |
| §2.1.1 脊型波导单模条件 | 第28-30页 |
| §2.1.2 脊型波导有效折射率的计算 | 第30-31页 |
| §2.2 SOI材料上脊型波导损耗分析 | 第31-35页 |
| §2.2.1 SOI材料上脊型波导弯曲损耗 | 第31-32页 |
| §2.2.2 脊型波导与平板波导的过渡损耗 | 第32-33页 |
| §2.2.3 脊型波导与光纤间的耦合损耗 | 第33-35页 |
| §2.2.3.1 菲涅耳反射损耗 | 第33-34页 |
| §2.2.3.2 波导与光纤的模式失配损耗 | 第34-35页 |
| §2.3 集成波导反射微镜IWTM | 第35-38页 |
| §2.3.1 镜面粗糙度R_Q对反射损耗的影响 | 第36-37页 |
| §2.3.2 镜面大小对反射损耗的影响 | 第37页 |
| §2.3.3 镜面中心与波导中心的相对平移(d)对反射损耗的影响 | 第37-38页 |
| §2.3.4 镜面与波导的角度偏移对反射损耗的影响 | 第38页 |
| §2.4 SOI脊型波导及IWTM的偏振特性 | 第38-40页 |
| §2.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 集成转弯微镜的阵列波导光栅的设计 | 第42-65页 |
| §3.1 传统阵列波导光栅的设计方法 | 第42-45页 |
| §3.2 AWG各种性能参数的优化 | 第45-50页 |
| §3.2.1 降低AWG插入损耗的方法 | 第45-47页 |
| §3.2.2 AWG串扰因素及降低串扰的方法 | 第47页 |
| §3.2.3 消除AWG偏振效应的常用方法 | 第47-49页 |
| §3.2.4 AWG滤波谱线的平坦化 | 第49-50页 |
| §3.3 SOI上IWTM-AWG的设计与分析 | 第50-62页 |
| §3.3.1 IWTM-AWG的结构及设计 | 第51-56页 |
| §3.3.1.1 IWTM-AWG基本结构参数的确定 | 第52-53页 |
| §3.3.1.2 IWTM-AWG阵列波导部分结构参数的确定 | 第53-56页 |
| §3.3.2 阵列波导部分对IWTM-AWG性能的影响 | 第56-62页 |
| §3.3.2.1 集成IWTM的阵列波导对器件损耗的影响 | 第56-58页 |
| §3.3.2.2 集成IWTM的阵列波导对器件偏振相关性的影响 | 第58-60页 |
| §3.3.2.3 集成IWTM的阵列波导对器件串扰的影响 | 第60-62页 |
| §3.4 本章小结 | 第62-65页 |
| 第四章 IWTM-AWG的制作，测试及结果分析 | 第65-77页 |
| §4.1 基础工艺研究 | 第65-73页 |
| §4.1.1 光刻 | 第65-68页 |
| §4.1.1.1 版图绘制 | 第66-67页 |
| §4.1.1.2 光刻工艺 | 第67-68页 |
| §4.1.2 电感耦合等离子体刻蚀ICP | 第68-71页 |
| §4.1.3 端面研磨抛光 | 第71-73页 |
| §4.2 芯片的测试及结果讨论 | 第73-75页 |
| §4.3 本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 总结 | 第77-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
