| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-43页 |
| ·碳纳米管的结构和性能 | 第14-19页 |
| ·SWNTs 的结构 | 第15-16页 |
| ·SWNTs 的电子结构 | 第16-18页 |
| ·SWNTs 的性能及其应用 | 第18-19页 |
| ·SWNTs 的制备技术及生长机理 | 第19-24页 |
| ·电弧放电法 | 第20-23页 |
| ·化学气相沉积（CVD）法 | 第23-24页 |
| ·激光蒸发法 | 第24页 |
| ·SWNTs 的生长调控 | 第24-29页 |
| ·基于 CVD 法的 SWNTs 生长调控 | 第24-27页 |
| ·基于电弧放电法的 SWNTs 生长调控 | 第27-29页 |
| ·SWNTs 的应用 | 第29-35页 |
| ·场效应晶体管(FET) | 第29-31页 |
| ·气体传感器 | 第31-33页 |
| ·SWNT 基二极管 | 第33-34页 |
| ·SWNT 基逻辑器件 | 第34-35页 |
| ·本论文拟解决的问题及研究思路 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-43页 |
| 第二章 单壁碳纳米管制备过程中的影响因素与条件优化 | 第43-72页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·直流电弧放电法制备 SWNTs 的基础理论及影响因素分析 | 第43-49页 |
| ·电极间的电荷分布 | 第43-45页 |
| ·电极间的混合气体与等离子体 | 第45-46页 |
| ·电极间的热传导 | 第46页 |
| ·SWNTs 成核、生长过程 | 第46-48页 |
| ·影响因素分析 | 第48-49页 |
| ·实验方法 | 第49-51页 |
| ·阳极石墨棒制备 | 第49-50页 |
| ·电弧放电法制备单壁碳纳米管 | 第50-51页 |
| ·样品表征 | 第51页 |
| ·阳极石墨棒热处理温度对其电阻率的影响 | 第51-55页 |
| ·实验与表征 | 第52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-55页 |
| ·催化剂引入方式对制备 SWNTs 的影响 | 第55-62页 |
| ·实验与表征 | 第56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-62页 |
| ·阴极直径变化对制备 SWNTs 过程的影响 | 第62-68页 |
| ·实验与表征 | 第62-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 第三章 低压反应性气体可控性制备高质量单壁碳纳米管 | 第72-97页 |
| ·引言 | 第72-73页 |
| ·SWNTs 样品制备与表征技术 | 第73-74页 |
| ·SWNTs 样品制备 | 第73页 |
| ·样品表征 | 第73-74页 |
| ·低压 CO 对 SWNTs 直径可控性制备的影响 | 第74-80页 |
| ·实验方法 | 第74页 |
| ·结果与讨论 | 第74-80页 |
| ·低压 CO2对 SWNTs 直径可控性制备的影响 | 第80-88页 |
| ·实验方法 | 第80-81页 |
| ·低压 CO2对 NiY-SWNTs 直径可控性制备的影响 | 第81-85页 |
| ·低压CO2对FeMo-SWNTs直径分布的影响 | 第85-88页 |
| ·低压N2O 对 SWNTs 直径分布的影响 | 第88-93页 |
| ·实验方法 | 第89页 |
| ·结果与讨论 | 第89-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-97页 |
| 第四章 磁场辅助电弧放电法选择性制备单壁碳纳米管 | 第97-122页 |
| ·引言 | 第97-99页 |
| ·实验方法与表征技术 | 第99-100页 |
| ·实验方法 | 第99页 |
| ·样品表征 | 第99-100页 |
| ·横向磁场对 NiY-SWNTs 直径可控性制备的影响 | 第100-109页 |
| ·横向磁场对 SWNTs 制备过程的影响 | 第100-103页 |
| ·磁场方向对 SWNTs 直径分布的影响 | 第103-108页 |
| ·机理讨论 | 第108-109页 |
| ·横向磁场对 FeMo-SWNTs 直径可控性制备的影响 | 第109-118页 |
| ·横向磁场对 SWNTs 制备过程的影响 | 第109-113页 |
| ·横向磁场对 SWNTs 直径分布的影响 | 第113-116页 |
| ·磁场方向对 SWNTs 直径分布的影响 | 第116页 |
| ·机理讨论 | 第116-118页 |
| ·本章小结 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-122页 |
| 第五章 低纯度单壁碳纳米管的提纯工艺研究 | 第122-141页 |
| ·引言 | 第122-124页 |
| ·杂质物性分析及提纯方法选择 | 第124-125页 |
| ·实验方法与表征技术 | 第125-127页 |
| ·样品制备 | 第125页 |
| ·分步离心法提纯 SWNTs 工艺流程 | 第125-127页 |
| ·样品表征方法 | 第127页 |
| ·实验结果与讨论 | 第127-135页 |
| ·初始 SWNTs 分析 | 第127-129页 |
| ·分步离心法提纯过程分析 | 第129-134页 |
| ·湿法氧化分析 | 第134-135页 |
| ·提纯机理分析与特点比较 | 第135-138页 |
| ·提纯机理分析 | 第135-137页 |
| ·与现有提纯方法比较 | 第137-138页 |
| ·本章小结 | 第138-139页 |
| 参考文献 | 第139-141页 |
| 第六章 室温等离子体刻蚀法制备半导体性单壁碳纳米管 | 第141-159页 |
| ·引言 | 第141-142页 |
| ·实验方法与表征技术 | 第142-143页 |
| ·SWNTs 样品提纯 | 第142页 |
| ·室温等离子体刻蚀处理 | 第142-143页 |
| ·样品表征 | 第143页 |
| ·Ar 等离子体刻蚀对金属性/半导体性 SWNTs 的影响 | 第143-149页 |
| ·Ar 等离子体刻蚀前后对 SWNTs 薄膜网络的影响 | 第143-146页 |
| ·等离子体功率对金属性/半导体性 SWNTs 比例的影响 | 第146-147页 |
| ·气压对 Ar 等离子体刻蚀 SWNTs 薄膜网络的影响 | 第147-148页 |
| ·刻蚀时间对金属性/半导体性 SWNTs 比例的影响 | 第148-149页 |
| ·H_2等离子体刻蚀对金属性/半导体性 SWNTs 的影响 | 第149-152页 |
| ·H_2等离子体刻蚀对 SWNTs 微观形貌的影响 | 第149-150页 |
| ·H_2等离子体刻蚀对对金属性/半导体性 SWNTs 比例的影响 | 第150-152页 |
| ·其他气体等离子体刻蚀对金属性/半导体性SWNTs 的影响 | 第152-154页 |
| ·选择性刻蚀机理分析 | 第154-155页 |
| ·本章小结 | 第155-156页 |
| 参考文献 | 第156-159页 |
| 第七章 总结与展望 | 第159-162页 |
| ·全文总结 | 第159-160页 |
| ·主要创新点 | 第160-161页 |
| ·工作展望 | 第161-162页 |
| 致谢 | 第162-163页 |
| 作者在攻读博士学位期间的论文、专利及获奖 | 第163-169页 |
| 上海交通大学博士学位论文答辩决议书 | 第169页 |
