蓝宝石衬底与GaN外延层中缺陷与杂质的研究
| 第一章 绪论 | 第1-16页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·晶体结构与材料特征 | 第7-9页 |
| ·器件水平及应用 | 第9-11页 |
| ·GaN半导体材料的前景及市场潜力 | 第11-12页 |
| ·第三代半导体材料的制备 | 第12-14页 |
| ·国内外蓝宝石单晶研究现状及分析 | 第14-16页 |
| 第二章 蓝宝石单晶的性质及制备 | 第16-29页 |
| ·前言 | 第16页 |
| ·蓝宝石的成分和一般性能 | 第16-17页 |
| ·蓝宝石的制备 | 第17-29页 |
| 2-3-1 提拉法生长蓝宝石 | 第17-24页 |
| 2-3-2 焰熔法生长蓝宝石 | 第24-25页 |
| 2-3-3 热交换法生长蓝宝石 | 第25-26页 |
| 2-3-4 导向温梯法生长蓝宝石 | 第26-27页 |
| 2-3-5 其它生长蓝宝石的方法 | 第27-29页 |
| 第三章 蓝宝石单晶中缺陷的研究 | 第29-37页 |
| ·前言 | 第29页 |
| ·实验 | 第29-34页 |
| 3-2-1 实验样品 | 第29页 |
| 3-2-2 用KOH进行化学腐蚀 | 第29-32页 |
| 3-2-3 用NaOH进行化学腐蚀 | 第32-33页 |
| 3-2-4 对不同晶向的蓝宝石单晶进行化学腐蚀 | 第33页 |
| 3-2-5 比较不同样片的缺陷 | 第33-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第四章 GaN外延层中缺陷的研究 | 第37-42页 |
| ·前言 | 第37页 |
| ·实验 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-40页 |
| ·小结 | 第40-42页 |
| 第五章 蓝宝石和GaN外延层中杂质的研究 | 第42-50页 |
| ·前言 | 第42页 |
| ·实验 | 第42-44页 |
| 5-2-1 实验样品 | 第42-43页 |
| 5-2-2 实验步骤 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第六章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第55页 |
