| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-18页 |
| §1．1 液晶显示器简介 | 第10-11页 |
| §1．2 薄膜晶体管有源驱动液晶显示技术 | 第11-13页 |
| §1．3 薄膜晶体管寻址液晶显示器的发展动态和趋势 | 第13-15页 |
| §1．4 本论文的主要研究内容及其意义 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-18页 |
| 第二章 非晶硅薄膜特性及制备参数的优化 | 第18-44页 |
| §2．1 引言 | 第18-19页 |
| §2．2 非晶硅材料结构及电学特性分析 | 第19-26页 |
| §2．2．1 非晶硅材料结构及其特性 | 第19-24页 |
| §2．2．2 氢化非晶硅的提出 | 第24-26页 |
| §2．3 氢化非晶硅材料的制备原理 | 第26-32页 |
| §2．3．1 非晶材料制备的热力学基础 | 第26-27页 |
| §2．3．2 氢化非晶硅薄膜的辉光放电淀积 | 第27-32页 |
| §2．4 PECVD制备非晶硅薄膜工艺条件的优化 | 第32-37页 |
| §2．4．1 硅氢组态与材料特性的依赖关系 | 第32-33页 |
| §2．4．2 实验样品的制备 | 第33页 |
| §2．4．3 结果与讨论 | 第33-37页 |
| §2．5 轻掺杂非晶硅薄膜制备条件的优化及电学特性的表征 | 第37-41页 |
| §2．5．1 非晶硅的掺杂特性简述 | 第37-38页 |
| §2．5．2 欧姆接触 | 第38-39页 |
| §2．5．3 氢化非晶硅的制备参数的优化及电学特性表征 | 第39-41页 |
| §2．6 非晶硅薄膜晶体管的制备及电学特性的测量 | 第41-42页 |
| §2．7 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第三章 温多晶硅薄膜材料的研究 | 第44-66页 |
| §3．1 引言 | 第44-46页 |
| §3．2 多晶硅材料的晶体成核理论及热力学模型 | 第46-53页 |
| §3．2．1 晶体成核理论 | 第46-49页 |
| §3．2．2 结晶生长速度公式的推导 | 第49-51页 |
| §3．2．3 激光退火制备多晶硅的热力学模型 | 第51-53页 |
| §3．3 多晶硅薄膜材料制备工艺的优化及材料特性表征 | 第53-62页 |
| §3．3．1 激光退火工艺简介 | 第53-54页 |
| §3．3．2 多晶硅薄膜材料制备工艺的优化 | 第54-62页 |
| §3．4 本章小结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第四章 薄膜晶体管器件模型的建立及器件参数的优化设计 | 第66-96页 |
| §4．1 引言 | 第66-67页 |
| §4．2 非晶硅薄膜晶体管工作特性分析及器件优化设计 | 第67-80页 |
| §4．2．1 a-Si TFT工作特性分析 | 第67-71页 |
| §4．2．2 a-Si TFT LCDs的优化设计 | 第71-80页 |
| §4．3 p-Si TFT漏电流模型的建立及器件特性的模拟 | 第80-87页 |
| §4．3．1 模型的提出 | 第80页 |
| §4．3．2 p-Si TFT Ⅰ-Ⅴ特性的推导 | 第80-86页 |
| §4．3．3 p-Si TFT漏电流特性的模拟 | 第86-87页 |
| §4．4 LDD p-Si TF7电学特性的分析及参数的优化设计 | 第87-92页 |
| §4．4．1 LDD p-Si TFT关态特性的分析 | 第87-90页 |
| §4．4．2 LDD p-Si TFT Ⅰ-Ⅴ特性的模拟及设计参数的优化 | 第90-92页 |
| §4．5 本章小结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-96页 |
| 第五章 薄膜晶体管液晶显示器中信号延迟现象的研究 | 第96-107页 |
| §5．1 引言 | 第96页 |
| §5．2 栅延迟电路的构成机制及简化模型 | 第96-98页 |
| §5．3 栅信号延迟现象的模拟及器件设计的优化 | 第98-103页 |
| §5．4 TFT阵列数据信号传输中延迟现象的模拟 | 第103-105页 |
| §5．5 本章小结 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-107页 |
| 第六章 低阻金属电极材料制备和性能研究 | 第107-118页 |
| §6．1 引言 | 第107页 |
| §6．2 铝材料中小丘的形成机制 | 第107-110页 |
| §6．2．1 铝材料性能特点 | 第107-108页 |
| §6．2．2 小丘生长机制及其抑制原理 | 第108-110页 |
| §6．3 铝基体合金及双层电极薄膜的制备和性能研究 | 第110-116页 |
| §6．3．1 金属薄膜溅射工艺简介 | 第110-111页 |
| §6．3．2 铝合金材料的制备 | 第111-112页 |
| §6．3．3 铝基合金薄膜的特性分析及制备工艺的优化 | 第112-115页 |
| §6．3．4 铝双层结构样品的制备和特性分析 | 第115-116页 |
| §6．4 本章小结 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-118页 |
| 第七章 结论 | 第118-122页 |
| 附录 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124页 |
