| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 致谢 | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-18页 |
| ·电子致原子内壳电离截面研究的意义及应用 | 第11-13页 |
| ·电子致原子内壳电离截面的研究历史及现状 | 第13-15页 |
| ·本研究课题的提出 | 第15-18页 |
| 第二章 电子致原子内壳电离的理论描述及实验测量方法 | 第18-33页 |
| ·理论描述 | 第18-26页 |
| ·电离碰撞的量子理论 | 第18-25页 |
| ·电离碰撞的经典理论计算 | 第25-26页 |
| ·电子致原子内壳电离截面的实验测量 | 第26-33页 |
| ·测量特征X射线产额 | 第26-30页 |
| ·测量俄歇电子产额 | 第30页 |
| ·能量损失法 | 第30-32页 |
| ·交束法离子产额测量 | 第32页 |
| ·几种测量方法的比较 | 第32-33页 |
| 第三章 电子输运双群模型 | 第33-46页 |
| ·带电粒子的Boltzmann方程 | 第34-35页 |
| ·电子的Boltzmann方程 | 第35-36页 |
| ·CSDA近似及标度变换(连续慢化近似) | 第36-37页 |
| ·双群模型 | 第37-41页 |
| ·双群模型计算值与实验值的对比 | 第41-46页 |
| 第四章 实验测量及数据分析处理 | 第46-101页 |
| ·实验装置 | 第46-48页 |
| ·束流真空系统 | 第46-47页 |
| ·靶室 | 第47-48页 |
| ·数据获取与处理系统 | 第48页 |
| ·靶的制备 | 第48-49页 |
| ·仪器的刻度 | 第49-69页 |
| ·Si(Li)探测器效率刻度 | 第49-62页 |
| ·多道分析器(MCA) | 第62-67页 |
| ·束流积分器 | 第67-69页 |
| ·K壳层电离截面测量 | 第69-84页 |
| ·L壳层电离截面或X射线产生截面测量 | 第84-99页 |
| ·衬底连续辐射对测量结果的影响 | 第99-101页 |
| 第五章 K壳层电离截面的经验描述 | 第101-117页 |
| ·概述 | 第101页 |
| ·现有的部分经验和半经验公式 | 第101-105页 |
| ·新经验公式的提出 | 第105-108页 |
| ·数据来源 | 第105页 |
| ·新经验公式 | 第105-108页 |
| ·与其他理论及经验公式的比较 | 第108-117页 |
| 第六章 结语 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-126页 |
| 附录A | 第126-146页 |
| 附录B | 第146页 |