| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·太阳电池的工作原理 | 第11-13页 |
| ·太阳电池的研究进展 | 第13-15页 |
| ·单晶硅太阳电池 | 第13页 |
| ·非晶硅太阳电池 | 第13-14页 |
| ·多晶硅太阳电池 | 第14页 |
| ·多晶硅薄膜太阳电池 | 第14-15页 |
| ·CIGS薄膜的基本性质及制备方法 | 第15-24页 |
| ·CIS薄膜材料的基本性质 | 第15-16页 |
| ·CIGS薄膜材料的基本性质 | 第16-17页 |
| ·CIGS薄膜材料的制备方法 | 第17-24页 |
| ·实验的目的和意义 | 第24-25页 |
| ·本文的主要工作 | 第25-26页 |
| 第2章 实验原理和设备 | 第26-36页 |
| ·真空蒸发镀膜原理 | 第26-27页 |
| ·实验仪器 | 第27页 |
| ·实验原料 | 第27-28页 |
| ·基片 | 第28-29页 |
| ·衬底的选择 | 第28页 |
| ·基片的清洗 | 第28-29页 |
| ·衬底温度的选择 | 第29页 |
| ·薄膜的退火处理 | 第29-30页 |
| ·真空度的确定 | 第30-31页 |
| ·薄膜性能表征 | 第31-36页 |
| ·薄膜厚度测量方法 | 第31-33页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第33页 |
| ·扫描电镜(SEM)和能谱(EDS)分析 | 第33页 |
| ·薄膜光学性能的测量 | 第33页 |
| ·薄膜电阻率的测量 | 第33-36页 |
| 第3章 CIGS薄膜的制备及其结果分析 | 第36-64页 |
| ·CIGS薄膜的制备 | 第36-38页 |
| ·基片温度对预置层性能的影响 | 第38-42页 |
| ·不同基片温度对预置层微观形貌的影响 | 第38-40页 |
| ·不同基片温度对预置层结构的影响 | 第40-42页 |
| ·基片温度对CIGS薄膜性能的影响 | 第42-48页 |
| ·不同基片温度对CIGS薄膜微观形貌的影响 | 第42-45页 |
| ·不同基片温度CIGS薄膜结构的影响 | 第45-47页 |
| ·不同基片温度对CIGS薄膜光学性能的影响 | 第47页 |
| ·不同基片温度对CIGS薄膜电学性能的影响 | 第47-48页 |
| ·CIGS薄膜成分对电学性能的影响 | 第48-52页 |
| ·CIGS薄膜成分对电阻率的影响 | 第48-49页 |
| ·不同Ga含量对CIGS薄膜微观形貌的影响 | 第49-50页 |
| ·不同Ga含量对CIGS薄膜电学性能的影响 | 第50-51页 |
| ·不同Ga含量对CIGS薄膜禁带宽度的影响 | 第51-52页 |
| ·薄膜厚度对CIGS薄膜性能的影响 | 第52-56页 |
| ·Na离子对CIGS薄膜性能的影响 | 第56-57页 |
| ·退火处理对CIGS薄膜性能的影响 | 第57-64页 |
| ·退火处理对CIGS薄膜表面形貌的影响 | 第57-60页 |
| ·退火处理对CIGS薄膜结构的影响 | 第60-61页 |
| ·退火处理对CIGS薄膜电学性能的影响 | 第61-62页 |
| ·退火处理对CIGS薄膜光学性能的影响 | 第62-64页 |
| 第4章 CIGS薄膜与CIS薄膜性能的比较 | 第64-68页 |
| ·CIGS薄膜与CIS薄膜表面形貌和结构的对比 | 第64-65页 |
| ·CIGS薄膜与CIS薄膜禁带宽度的对比 | 第65-66页 |
| ·CIGS薄膜与CIS薄膜光学性能和电学性能的对比 | 第66-68页 |
| 第5章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 致谢 | 第76页 |