| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| ·高功率微波发展现状与趋势 | 第12-13页 |
| ·高功率微波发展现状 | 第12页 |
| ·高功率微波发展趋势 | 第12-13页 |
| ·高功率微波发展面临的新挑战 | 第13页 |
| ·介质窗射频击穿研究的现状 | 第13-19页 |
| ·高功率微波输出窗介质界面击穿的实验研究进展 | 第14-16页 |
| ·高功率微波输出窗介质界面击穿的理论研究进展 | 第16-18页 |
| ·输出窗介质界面击穿粒子模拟的发展 | 第18-19页 |
| ·课题的研究意义与主要工作 | 第19-21页 |
| 第二章 微波窗射频击穿的物理机制与电子倍增的统计分析 | 第21-32页 |
| ·微波输出窗电击穿的物理机制 | 第21-26页 |
| ·输出窗电子倍增的种子电子来源 | 第21页 |
| ·次级电子发射 | 第21-25页 |
| ·高功率微波条件下介质界面次级电子倍增与击穿 | 第25-26页 |
| ·微波输出窗次级电子倍增的统计分析 | 第26-31页 |
| ·电子的运动 | 第26-28页 |
| ·次级电子的渡越时间分布 | 第28页 |
| ·次级电子倍增的统计学描述 | 第28-29页 |
| ·次级电子倍增的数值计算与主要结果 | 第29-31页 |
| ·本章总结 | 第31-32页 |
| 第三章 微波输出窗表面电子倍增的蒙特卡罗建模与仿真 | 第32-43页 |
| ·蒙特卡罗方法概述 | 第32-35页 |
| ·蒙特卡罗方法的基本原理与思想 | 第32页 |
| ·蒙特卡罗基本分析过程 | 第32-34页 |
| ·蒙特卡罗方法在粒子输运问题中的应用 | 第34-35页 |
| ·次级电子倍增放电的蒙特卡罗模拟方法 | 第35-39页 |
| ·次级电子发射的概率模型 | 第35页 |
| ·次级电子发射模型的蒙特卡罗实现方法 | 第35-39页 |
| ·输出窗次级电子倍增的蒙特卡罗模拟流程 | 第39页 |
| ·电子倍增的敏感性曲线的蒙特卡罗模拟 | 第39-42页 |
| ·不同材料特性下的敏感性曲线 | 第40-41页 |
| ·敏感性曲线的解析估算 | 第41-42页 |
| ·本章总结 | 第42-43页 |
| 第四章 输出窗表面电子倍增稳态过程的研究 | 第43-57页 |
| ·输出窗次级电子倍增的传输线近似模型 | 第43-47页 |
| ·真空介质界面次级电子倍增的传输线近似模型 | 第43-44页 |
| ·真空介质界面次级电子倍增的形成与发展过程 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| ·输出窗表面电子倍增饱和阶段的李萨如行为特性 | 第47-51页 |
| ·不同射频场条件下的李萨如图形 | 第47-49页 |
| ·决定李萨如图形构型特征的参数 | 第49页 |
| ·饱和态下沉积功率研究 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51页 |
| ·真空-介质界面直流电击穿与射频击穿轨迹的比较分析 | 第51-55页 |
| ·微波窗倍增放电阶段空间电荷演变分析 | 第52-54页 |
| ·HPM 真空介质界面击穿与介质表面直流击穿轨迹实验比较 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55页 |
| ·本章总结 | 第55-57页 |
| 第五章 输出窗材料介电性能测量和抑制击穿的方法 | 第57-72页 |
| ·高功率微波馈源输出窗材料性能要求 | 第57-59页 |
| ·微波窗材料介电参数测量 | 第59-69页 |
| ·模型及理论分析 | 第59-61页 |
| ·品质因素的测量 | 第61-64页 |
| ·测量装置与测量结果 | 第64-68页 |
| ·测量误差分析与讨论 | 第68-69页 |
| ·小结 | 第69页 |
| ·抑制输出窗击穿的方法和措施 | 第69-71页 |
| ·材料性能和制造工艺 | 第69-70页 |
| ·改进几何结构 | 第70页 |
| ·介质窗的表面处理 | 第70-71页 |
| ·本章总结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结 | 第72-75页 |
| ·主要工作及结果 | 第72-73页 |
| ·今后工作展望 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第80页 |
