碳化硅镜面材料的磁流变抛光工艺研究
| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| ·课题来源及意义 | 第12-14页 |
| ·课题的来源 | 第12页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第12-14页 |
| ·碳化硅的超精密加工技术现状 | 第14-16页 |
| ·浴法抛光 | 第14-15页 |
| ·在线电解修整磨削 | 第15页 |
| ·磁流变抛光 | 第15-16页 |
| ·离子束加工 | 第16页 |
| ·光学镜面磁流变抛光技术发展 | 第16-18页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 SiC的磁流变抛光去除机理研究 | 第20-29页 |
| ·抛光的材料去除机理概述 | 第20-22页 |
| ·机械作用理论 | 第20-21页 |
| ·化学作用理论 | 第21-22页 |
| ·流变理论 | 第22页 |
| ·碳化硅材料特性研究 | 第22-24页 |
| ·碳化硅的结构特点 | 第22-23页 |
| ·几种碳化硅特性对比 | 第23-24页 |
| ·碳化硅的磁流变抛光机理研究 | 第24-28页 |
| ·磁流变抛光材料去除机理 | 第24-27页 |
| ·磁流变抛光材料去除模型 | 第27-28页 |
| ·磁流变抛光表面粗糙度基本理论 | 第28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 SiC的磁流变工艺研究 | 第29-47页 |
| ·去除函数、工艺参数定义及评价方法 | 第29-32页 |
| ·去除函数评价方法 | 第29-30页 |
| ·表面粗糙度评价方法 | 第30-31页 |
| ·测量设备 | 第31-32页 |
| ·用于SiC加工的磁流变抛光液 | 第32-35页 |
| ·羰基铁粉 | 第32-34页 |
| ·纳米金刚石抛光粉 | 第34-35页 |
| ·磁流变抛光去除函数特性 | 第35-40页 |
| ·去除函数的线性 | 第35-36页 |
| ·去除函数的重复性与稳定性 | 第36-39页 |
| ·去除函数的表面粗糙度曲线 | 第39-40页 |
| ·工艺参数对磁流变抛光的影响 | 第40-44页 |
| ·抛光轮转速 | 第40-41页 |
| ·抛光轮与工件表面的间隙 | 第41-42页 |
| ·磁场强度 | 第42-43页 |
| ·其它参数 | 第43-44页 |
| ·磁流变抛光工艺参数选择 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 SiC的磁流变抛光与面形控制 | 第47-56页 |
| ·计算机控制光学表面成形（CCOS）技术 | 第47-49页 |
| ·CCOS技术的工作原理 | 第47-48页 |
| ·CCOS技术的数学模型 | 第48页 |
| ·驻留时间的迭代算法（一） | 第48页 |
| ·驻留时间的迭代算法（二） | 第48-49页 |
| ·磁流变机床 | 第49-50页 |
| ·机床构成 | 第49页 |
| ·循环系统 | 第49-50页 |
| ·SiC的磁流变修形研究 | 第50-55页 |
| ·传统研磨抛光 | 第50页 |
| ·子孔径拼接测量 | 第50-51页 |
| ·磁流变粗抛 | 第51-52页 |
| ·磁流变精抛 | 第52-53页 |
| ·对几个关键问题的分析 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结和展望 | 第56-58页 |
| ·全文总结 | 第56页 |
| ·研究展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第64页 |
