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基于密度泛函理论研究NiSi_n和Y_nAl团簇

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第1章 团簇简介第8-22页
   ·团簇概述第8-10页
   ·团簇的制备方法第10-11页
   ·团簇的性质第11-13页
   ·研究团簇的意义第13-14页
   ·掺杂硅基团簇和过渡金属钇团簇第14-17页
   ·本论文工作的内容第17-18页
 参考文献第18-22页
第2章 团簇理论研究的主要方法第22-33页
   ·量子化学方法第22-29页
     ·从头算方法第22-23页
     ·密度泛函理论(DFT)第23-26页
     ·半经验方法第26-27页
     ·赝势法第27-28页
     ·密度泛函计算的自洽过程第28-29页
   ·常用计算软件包简介第29-31页
     ·Gaussian 03 软件包简介第29-30页
     ·Materials Studio-Dmol3 软件包简介第30-31页
 参考文献第31-33页
第3章 密度泛函方法研究NiSi_n(n=1~13)团簇第33-46页
   ·引言第33-34页
   ·研究方法第34页
   ·结果与讨论第34-43页
     ·NiSi_n(n=1~13)团簇的生长行为第34-39页
     ·NiSi_n 团簇的稳定性及电荷转移第39-42页
     ·NiSi_n 团簇的磁性第42-43页
   ·结论第43-44页
 参考文献第44-46页
第4章 密度泛函理论研究Y_nAl (n=1~14) 团簇第46-64页
   ·引言第46-47页
   ·计算方法第47-48页
   ·结果和讨论第48-61页
     ·稳定结构第48-56页
     ·稳定性、电子性质和磁性质第56-61页
   ·结论第61-62页
 参考文献第62-64页
攻读学位期间发表的学术论文第64-65页
致谢第65-66页
个人简历第66页

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