| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章:引言 | 第8-23页 |
| 第一节:铁电体概述 | 第8-13页 |
| ·铁电体的定义 | 第8-10页 |
| ·铁电体材料 | 第10-12页 |
| §1.2.1 钙钛矿结构铁电材料 | 第10页 |
| §1.2.2 铋系层状结构铁电材料 | 第10-11页 |
| §1.2.3 其它结构的铁电材料 | 第11-12页 |
| ·铁电学的发展历史 | 第12-13页 |
| 第二节:铁电存储器的特点和发展历史 | 第13-19页 |
| ·铁电存储器的特点 | 第13-15页 |
| ·铁电存储器的发展历史 | 第15-17页 |
| ·铁电材料的其它应用 | 第17-19页 |
| 第三节:铁电材料的制备工艺以及表征方法 | 第19-22页 |
| ·铁电薄膜的制备方法 | 第19-20页 |
| §3.1.1 射频磁控溅射 | 第19页 |
| §3.1.2 脉冲激光沉积法 | 第19-20页 |
| §3.1.3 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第20页 |
| §3.1.4 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第20页 |
| ·铁电薄膜的表征手段 | 第20-22页 |
| §3.2.1 物化结构性能表征 | 第20-21页 |
| §3.2.2 电学性能及其表征 | 第21-22页 |
| 第四节:本论文的工作 | 第22-23页 |
| 第二章:硅基铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备技术研究 | 第23-36页 |
| 第一节:Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜 | 第23-28页 |
| ·Sol-Gel法的化学原理 | 第23-25页 |
| ·PZT溶胶的配置 | 第25-27页 |
| ·衬底的选取 | 第27页 |
| ·薄膜的旋涂 | 第27页 |
| ·薄膜的热处理 | 第27-28页 |
| 第二节:铁电薄膜电容器的工艺流程 | 第28-31页 |
| ·清洗白金片 | 第28-29页 |
| ·生长PZT薄膜 | 第29页 |
| ·淀积金属上电极 | 第29-30页 |
| ·光刻,腐蚀上电极 | 第30页 |
| ·腐蚀下电极 | 第30-31页 |
| 第三节:铁电薄膜的品质表征 | 第31-33页 |
| ·形貌分析 | 第31页 |
| ·晶化品质 | 第31-33页 |
| 第四节:铁电薄膜电学测试 | 第33-35页 |
| ·电滞回线 | 第33页 |
| ·C-V曲线 | 第33-34页 |
| ·I-t曲线 | 第34-35页 |
| 第五节:本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章:铁电薄膜界面层电容的研究 | 第36-50页 |
| 第一节:铁电薄膜界面层电容的研究历史及意义 | 第37页 |
| 第二节:铁电薄膜界面层电容的物理模型和提取方法 | 第37-38页 |
| 第三节:先进的铁电薄膜界面层电容提取方法 | 第38-47页 |
| ·铁电薄膜电畴翻转机制理论的介绍 | 第38-40页 |
| ·新的铁电薄膜界面层电容提取方法的介绍 | 第40-44页 |
| ·两种界面层电容提取方法的比较 | 第44-47页 |
| 第四节:界面层电容对温度的响应 | 第47-49页 |
| 第五节:本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章:薄膜制备工艺对界面层电容的影响 | 第50-54页 |
| 第一节:Pt衬底对界面层电容的影响 | 第50-53页 |
| 第三节:本章小节 | 第53-54页 |
| 全文总结 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |