| 摘要 | 第1-15页 |
| Abstract | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-51页 |
| §1.1 金属膜微加工 | 第19-22页 |
| §1.1.1 纳米切片技术(nanoskiving) | 第19-21页 |
| §1.1.2 琼脂糖凝胶湿印章的反应-扩散(Reaction-Diffusion)技术 | 第21-22页 |
| §1.2 纳米材料可控自组装 | 第22-37页 |
| §1.2.1 直接自组装法 | 第22-32页 |
| §1.2.2 选择性生长组装法 | 第32-37页 |
| §1.3 本论文的研究目的、设想和内容 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-51页 |
| 第二章 实验 | 第51-60页 |
| §2.1 实验试剂和材料 | 第51-53页 |
| §2.1.1 实验所用化学试剂 | 第51-52页 |
| §2.1.2 基底材料 | 第52-53页 |
| §2.2 实验步骤 | 第53-55页 |
| §2.2.1 图案化琼脂糖凝胶模板的制备 | 第53页 |
| §2.2.2 n-Si(111):H表面电化学沉积铜微结构 | 第53-54页 |
| §2.2.3 在图案化的Au/ITO基底合成ZnO纳米棒阵列 | 第54页 |
| §2.2.4 图案化金纳米粒子自组装 | 第54-55页 |
| §2.3 仪器和实验方法 | 第55-58页 |
| §2.3.1 电化学实验 | 第55页 |
| §2.3.2 表征方法 | 第55-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第三章 n-Si(111)表面铜微结构的制备 | 第60-83页 |
| §3.1 前言 | 第60-61页 |
| §3.2 不同镀液体系下的电化学沉积行为讨论及合适体系、电位的选择 | 第61-67页 |
| §3.2.1 不同镀液体系下的电化学沉积行为讨论 | 第62-64页 |
| §3.2.2 合适体系中电位的选择 | 第64-67页 |
| §3.3 E-WETS沉积铜微结构的分辨率及影响因素 | 第67-69页 |
| §3.4 沉积的铜膜微结构的厚度与沉积时间的关系及理论讨论 | 第69-74页 |
| §3.5 影响沉积铜微结构完整性的因素 | 第74-76页 |
| §3.6 本章小结 | 第76-77页 |
| 附录 | 第77-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第四章 溶液相法合成图案化ZnO纳米棒阵列 | 第83-121页 |
| §4.1 前言 | 第83-85页 |
| §4.2 图案化的Au/ITO基底的电化学加工 | 第85-88页 |
| §4.3 ZnO纳米棒在图案化的Au/ITO基底的选择性生长 | 第88-91页 |
| §4.4 ZnO纳米棒在图案化的Au/ITO基底选择性生长原因 | 第91-96页 |
| §4.4.1 表面自由能 | 第91-92页 |
| §4.4.2 基底形貌及粗糙度 | 第92-94页 |
| §4.4.3 化学活性 | 第94-96页 |
| §4.5 ZnO纳米棒浓度调节的选择性生长及理论模型 | 第96-101页 |
| §4.5.1 浓度调节的选择性生长 | 第96-98页 |
| §4.5.2 浓度调节的选择性生长的理论模型 | 第98-101页 |
| §4.6 电化学辅助的ZnO纳米棒选择性生长 | 第101-104页 |
| §4.7 基底材料组成对ZnO纳米棒选择性生长的影响 | 第104-109页 |
| §4.7.1 图案化的Au/Si的电化学加工 | 第105-106页 |
| §4.7.2 ZnO纳米棒在图案化的Au/Si基底的选择性生长 | 第106-109页 |
| §4.8 ZnO纳米棒阵列的性质 | 第109-111页 |
| §4.8.1 ZnO纳米棒的光致发光谱(PL) | 第109-110页 |
| §4.8.2 ZnO纳米棒的场发射谱(FE) | 第110-111页 |
| §4.9 本章小结 | 第111-115页 |
| 参考文献 | 第115-121页 |
| 第五章 Au纳米粒子边缘密度增强自组装 | 第121-150页 |
| §5.1 前言 | 第121-122页 |
| §5.2 线条状Au纳米粒子图案的自组装 | 第122-125页 |
| §5.2.1 线条中间区域Au纳米粒子图案的自组装 | 第122-124页 |
| §5.2.2 线条末端区域金纳米粒子图案的自组装 | 第124-125页 |
| §5.3 密度增强机理的研究 | 第125-131页 |
| §5.3.1 溶液体系的影响 | 第125-126页 |
| §5.3.2 表面技术分析 | 第126-131页 |
| §5.4 Au纳米粒子边缘密度增强自组装理论模型 | 第131-135页 |
| §5.5 Au纳米粒子自组装的密度调控 | 第135-137页 |
| §5.5.1 浸泡Au溶胶对组装密度的影响 | 第135-136页 |
| §5.5.2 与HNO_2接触反应时间对组装密度的影响 | 第136-137页 |
| §5.6 溶液相反应体系与琼脂糖凝胶模板体系的差异 | 第137-140页 |
| §5.6.1 溶液相处理NH_2-ITO表面对Au纳米自组装的影响 | 第137-139页 |
| §5.6.2 HNO_2溶液浓度对NH_2-ITO作用的影响 | 第139-140页 |
| §5.7 Au纳米粒子在生长ZnO纳米棒阵列的应用 | 第140-142页 |
| §5.8 本章小结 | 第142-143页 |
| 参考文献 | 第143-150页 |
| 第六章 展望 | 第150-155页 |
| §6.1 琼脂糖凝胶模板的应用扩展 | 第150-151页 |
| §6.2 本论文三项工作的扩展 | 第151-154页 |
| §6.2.1 n-Si(111)上铜微结构的制备的扩展 | 第151页 |
| §6.2.2 溶液相法合成图案化ZnO纳米棒阵列扩展 | 第151-152页 |
| §6.2.3 Au纳米粒子边缘密度增强自组装的应用 | 第152-154页 |
| 参考文献 | 第154-155页 |
| 作者攻读硕士学位期间发表的论文 | 第155-157页 |
| 致谢 | 第157-158页 |
