C-Si粉体反应制备SiC纳米线及合成机理研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| ·纳米材料简介 | 第10-12页 |
| ·纳米材料的发展 | 第10-11页 |
| ·纳米材料的性能 | 第11-12页 |
| ·一维纳米材料 | 第12-13页 |
| ·一维SiC 纳米材料 | 第13-14页 |
| ·SiC 纳米线的制备方法 | 第14-20页 |
| ·碳纳米管模板生长法 | 第14-15页 |
| ·碳热还原法 | 第15-17页 |
| ·电弧放电法 | 第17-18页 |
| ·微波加热法 | 第18页 |
| ·激光烧蚀法 | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| ·SiC 纳米线的生长机理 | 第20-22页 |
| ·VLS 机制 | 第20-21页 |
| ·VS 机制 | 第21页 |
| ·Solution LS 机制 | 第21-22页 |
| ·SLS 机制 | 第22页 |
| ·氧化物辅助生长 | 第22页 |
| ·纳米线的表征方法 | 第22-24页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第24-26页 |
| 第2章 试验材料及方法 | 第26-31页 |
| ·试验材料 | 第26页 |
| ·试验仪器设备 | 第26-27页 |
| ·试验方法 | 第27-31页 |
| ·X 射线衍射 | 第27页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| ·透射电子显微镜 | 第28-29页 |
| ·红外光谱仪 | 第29页 |
| ·拉曼光谱仪 | 第29-31页 |
| 第3章 SiC 纳米线的制备及表征 | 第31-47页 |
| ·高能球磨制备C Si 纳米粉体 | 第31-36页 |
| ·C Si 粉体球磨工艺 | 第31-34页 |
| ·球磨过程中粉体反应分析 | 第34-36页 |
| ·SiC 纳米线的制备 | 第36-37页 |
| ·真空条件下制备SiC 纳米线 | 第36-37页 |
| ·氩气保护条件下SiC 纳米线 | 第37页 |
| ·SiC 纳米线的表征 | 第37-45页 |
| ·SiC 纳米线的SEM 形貌表征 | 第37-40页 |
| ·SiC 纳米线的EDS 分析 | 第40页 |
| ·SiC 纳米线的XRD 测试 | 第40-41页 |
| ·SiC 纳米线的TEM 及HRTEM 表征 | 第41-43页 |
| ·SiC 纳米线的FT IR 图谱分析 | 第43-44页 |
| ·SiC 纳米线的Raman 图谱分析 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 SiC 纳米线生长的影响因素 | 第47-58页 |
| ·不同基片上制备SiC 纳米线 | 第47-49页 |
| ·Si 基片上制备SiC 纳米线 | 第47-48页 |
| ·石墨基片上制备SiC 纳米线 | 第48-49页 |
| ·氧化铝陶瓷基片上制备SiC 纳米线 | 第49页 |
| ·制备温度对SiC 纳米线生长的影响 | 第49-50页 |
| ·保温时间对SiC 纳米线生长的影响 | 第50-52页 |
| ·环境气氛对SiC 纳米线生长的影响 | 第52页 |
| ·粉体中碳硅比对SiC 纳米线生长的影响 | 第52-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 SiC 纳米线的生长机理 | 第58-68页 |
| ·SiC 纳米线生长热力学 | 第58-62页 |
| ·材料热力学基础理论 | 第58-59页 |
| ·反应生成焓ΔH 及吉布斯自由能变ΔG 的计算 | 第59-62页 |
| ·SiC 纳米线生长过程分析 | 第62-67页 |
| ·SiC 纳米线生长前期 | 第62-63页 |
| ·SiC 纳米线的成核 | 第63-64页 |
| ·SiC 纳米线的生长 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
