| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-16页 |
| ·超导概述 | 第10页 |
| ·超导的发展史 | 第10-12页 |
| ·La-Ir-Si 超导体系的研究背景 | 第12-14页 |
| ·LaIrSi_3 的晶格结构与性质 | 第13页 |
| ·LaIrSi 的晶格结构与性质 | 第13页 |
| ·LaIr_2Si_2 (LaIr_2Si_2-ht 与LaIr_2Si_2-lt)的晶格结构与性质 | 第13-14页 |
| ·本文的目的与研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 理论基础 | 第16-30页 |
| ·早期的单电子近似理论 | 第16-19页 |
| ·绝热近似 | 第17页 |
| ·Hartree-Fock 近似 | 第17-19页 |
| ·密度泛函理论 | 第19-21页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第19-20页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第20-21页 |
| ·交换关联泛函 | 第21-24页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第22-23页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第23-24页 |
| ·赝势方法和全电子势方法 | 第24-28页 |
| ·赝势方法 | 第24-26页 |
| ·全电子势方法 | 第26-28页 |
| ·第一性原理计算软件介绍 | 第28-30页 |
| 第3章 La-Ir-Si 体系的电子结构 | 第30-39页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·体系的结构优化 | 第31-33页 |
| ·电子结构 | 第33-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 La-Ir-Si 体系的成键机制 | 第39-50页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·电荷密度分布与成键电荷密度分布 | 第39-40页 |
| ·电子局域函数(ELF) | 第40-43页 |
| ·AIM 理论 | 第43-48页 |
| ·原子池面(basin 面) | 第43-45页 |
| ·basin 电荷 | 第45-46页 |
| ·成键强度 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第5章 La-Ir-Si 体系的力学性能 | 第50-56页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·体弹模量 | 第50-51页 |
| ·弹性常数 | 第51-55页 |
| ·本章总结 | 第55-56页 |
| 第6章 总结与展望 | 第56-58页 |
| ·论文总结 | 第56-57页 |
| ·研究展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第64页 |