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半导体自组织量子点物理性质的外场调控

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第1章 绪论第11-15页
    1.1 量子点的基本性质以及背景第11-13页
    1.2 纠缠光源的基本原理第13-15页
第2章 有限温度下量子点的性质第15-34页
    2.1 引言第15-16页
    2.2 理论方法第16-20页
    2.3 体材料的温度效应第20-21页
    2.4 温度对InAs/GaAs量子点物理性质的调控第21-33页
        2.4.1 能带偏移随温度的变化第22-24页
        2.4.2 单电子能级与波函数随温度的变化第24-28页
        2.4.3 有限温度下量子点的发射光谱第28-33页
    2.5 小结第33-34页
第3章 应力对量子点精细结构的调控第34-46页
    3.1 引言第34-35页
    3.2 单轴应力对精细结构的调控第35-39页
    3.3 组合应力对精细结构的调控第39-45页
    3.4 小结第45-46页
第4章 应力调控量子点物理性质的模型理论第46-58页
    4.1 引言第46-47页
    4.2 外应力下单粒子能级的变化第47-50页
    4.3 电子-空穴交换作用及精细结构第50-56页
    4.4 激子的偏振角在外应力下的变化第56-57页
    4.5 小结第57-58页
第5章 可扩展的半导体量子点确定性纠缠光源第58-64页
    5.1 引言第58页
    5.2 可扩展的量子点纠缠光源理论方案第58-59页
    5.3 理论方案的验证及讨论第59-63页
    5.4 小结第63-64页
第6章 总结与展望第64-66页
附录A 8×8 Bir-Pikus模型第66-71页
附录B 第五章的补充材料第71-79页
    B.1 计算中用到的材料参数第71-72页
    B.2 计算中用到的量子点的几何形状及合金组份第72页
    B.3 激子能量及FSS的模型第72-73页
    B.4 外应力对激子能量及FSS结构调控的分析第73-79页
参考文献第79-86页
致谢第86-87页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第87页

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