内容提要 | 第1-5页 |
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
第一章 绪论 | 第9-12页 |
·自旋电子学 | 第9页 |
·稀磁半导体 | 第9-10页 |
·氮化硼简介 | 第10-11页 |
·选题思路 | 第11-12页 |
第二章 基本理论 | 第12-27页 |
·第一性原理计算 | 第12页 |
·密度泛函理论(DFT) | 第12-19页 |
·Hohenberg-Kohn定理 | 第13-15页 |
·Kohn-Sham方程1 | 第15-17页 |
·局域密度近似(LocalDensity Approximation, LDA) | 第17-18页 |
·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GGA) | 第18-19页 |
·常用的能带计算方法 | 第19-24页 |
·正交平面波(OPW)方法 | 第19-22页 |
·缀加平面波(APW)方法 | 第22-23页 |
·赝势方法 | 第23-24页 |
·自洽-迭代方法 | 第24-25页 |
·VASP程序包介绍 | 第25-27页 |
第三章 C掺杂六角结构和菱方结构BN磁性的研究 | 第27-56页 |
·C掺杂六角结构BN磁性的研究 | 第27-41页 |
·模型组建和计算方法 | 第27-28页 |
·本征六角结构BN的计算结果 | 第28-29页 |
·C原子掺杂六角BN-C替代B | 第29-34页 |
·一个C原子替代B的计算结果与分析 | 第29-32页 |
·两个C原子掺杂替代B的计算结果与分析 | 第32-34页 |
·C原子掺杂六角BN-C替代N | 第34-40页 |
·一个C原子替代N的计算结果与分析 | 第34-37页 |
·两个C原子掺杂替代N的计算结果与分析 | 第37-40页 |
·六角BN体系缺陷形成能 | 第40-41页 |
·C掺杂菱方结构BN磁性的研究 | 第41-55页 |
·模型组建和计算方法 | 第41-42页 |
·本征菱方结构BN的计算结果 | 第42-43页 |
·C原子掺杂菱方BN-C替代B | 第43-48页 |
·一个C原子替代B的计算结果与分析 | 第43-46页 |
·两个C原子掺杂替代B的计算结果与分析 | 第46-48页 |
·C原子掺杂菱方BN-C替代N | 第48-54页 |
·一个C原子替代N的计算结果与分析 | 第48-51页 |
·两个C原子掺杂替代N的计算结果与分析 | 第51-54页 |
·菱方BN体系缺陷形成能 | 第54-55页 |
·C掺杂六角结构和菱方结构BN磁耦合机制的研究 | 第55-56页 |
第四章 C掺杂立方结构和纤锌矿结构BN磁性的研究 | 第56-70页 |
·C掺杂立方结构BN磁性的研究 | 第56-62页 |
·模型组建和计算方法 | 第56页 |
·本征立方结构BN计算结果 | 第56-57页 |
·一个C原子替代B的计算结果与分析 | 第57-59页 |
·一个C原子替代N的计算结果与分析 | 第59-61页 |
·立方BN体系的缺陷形成能 | 第61-62页 |
·C掺杂纤锌矿结构BN磁性的研究 | 第62-70页 |
·模型组建和计算方法 | 第62-63页 |
·本征纤锌矿结构BN计算结果 | 第63-64页 |
·一个C原子替代B的计算结果与分析 | 第64-67页 |
·一个C原子替代N的计算结果与分析 | 第67-69页 |
·纤锌矿BN体系的缺陷形成能 | 第69-70页 |
第五章 结论 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-77页 |
致谢 | 第77页 |